高真空多靶磁控濺射系統

高真空多靶磁控濺射系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2005年1月12日啟用。

基本介紹

• 中文名：高真空多靶磁控濺射系統
• 產地：中國
• 學科領域：物理學
• 啟用日期：2005年1月12日
• 所屬類別：物理性能測試儀器

技術指標

真空度10負5次方Pa；漏率1.5Pa。

主要功能

製備單層納米薄膜，納米複合膜，納米多層膜。