高真空濺射系統是一種用於材料科學、物理學領域的工藝試驗儀器,於2011年11月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:高真空濺射系統
- 產地:英國
- 學科領域:材料科學、物理學
- 啟用日期:2011年11月1日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備
高真空濺射系統是一種用於材料科學、物理學領域的工藝試驗儀器,於2011年11月1日啟用。
高真空濺射系統是一種用於材料科學、物理學領域的工藝試驗儀器,於2011年11月1日啟用。技術指標高低多靶槍,樣品旋轉,成膜均勻。1主要功能多靶槍工作成膜均勻。1...
超高真空多靶磁控濺射系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年10月31日啟用。技術指標 本底真空(UltimatePressure):2.66×10-6Pa 沉積室尺寸(DepositionChamber):W450×D410×H450m 基片尺寸(SubstrateSize):F2~8inch 基片...
高真空磁控濺射系統 高真空磁控濺射系統是一種用於電子與通信技術領域的計量儀器,於2010年10月12日啟用。技術指標 濺射極限真空≤5E-6Pa;系統漏率:5E-7Pa.l/S。主要功能 製備各種薄膜材料。
多功能濺射沉積高真空系統 多功能濺射沉積高真空系統是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器,於2009年11月16日啟用。技術指標 本地真空5.0e-4Pa。主要功能 進行氧化物薄膜濺射沉積。
高真空磁控濺射鍍膜系統 高真空磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2015年12月14日啟用。技術指標 子系統一:工裝和卡具。主要功能 鍍制各種功能性薄膜光電薄膜,半導體薄膜,硬質膜等。
超高真空磁控與粒子束聯合濺射設備是一種用於化學領域的科學儀器,於2012年9月7日啟用。技術指標 1.系統極限真空:磁控濺射室:系統經烘烤後連續抽氣,可達4.0x10-5Pa;離子束濺射室經烘烤後連續抽氣,可達6.6x10-5Pa; 2.系統...
高真空磁控濺射與蒸發鍍膜裝置是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2007年5月9日啟用。技術指標 系統極限真空:濺射室:系統經烘烤,可達1×10-5Pa(7.5×10-8Toor); 進樣室:經烘烤可達7×10-4Pa(5.2×10-6Toor)。
高真空磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的科學儀器,於2013年3月25日啟用。技術指標 設備共有3腔(反濺腔、濺射腔、氧化腔) 8靶 極限真空可達到5*10-6Pa,能進行2英寸晶圓鍍膜。主要功能 可通過直流濺射和...
超高真空多靶磁控濺射鍍膜儀是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2010年2月21日啟用。技術指標 1、雙室磁控濺射系統,極限壓力:主濺射室,6.67*10-6Pa,2、永磁靶5套,三個直流電源,兩個射頻電源,靶材直徑60mm;3、6個...
高真空磁控濺射儀是一種用於信息科學與系統科學、物理學、工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年12月11日啟用。技術指標 雙腔室真空結構(進樣室+濺射室),濺射室極限真空度優於9.9x10-6Pa,進樣室極限真空...
雙室磁控濺射沉積系統是帶有進樣室的高真空多功能 磁控濺射鍍膜設備。它可用於在高真空背景下,充入高純氬氣,採用磁 控濺射方式製備各種金屬膜、介質膜、半導體膜,而且又可以較好地濺 射鐵磁材料(Fe、Co、Ni),製備磁性薄膜。在...