高真空四靶材磁控濺射系統是一種用於材料科學領域的分析儀器，於2014年5月14日啟用。
基本介紹
- 中文名：高真空四靶材磁控濺射系統
- 產地：中國
- 學科領域：材料科學
- 啟用日期：2014年5月14日
- 所屬類別：分析儀器 > 樣品前處理及製備儀器
技術指標,主要功能,
技術指標
1.4支直徑為3英寸圓形平面磁控濺射靶（永磁靶3支，鐵磁靶1支；進口Kurt.J.Lesker）。2.腔室極限真空度2×10-5Pa（分子泵：抽氣速率600L/S，北京中科院儀器公司：KYKY；機械泵：抽氣速率8L/s，愛發科）。3.採用CF150高真空電動閘板閥1台。4.從大氣環境到工作背景真空5X10-4Pa時間≤30分鐘。5.設備密封性：停泵關機12小時後真空度不高於8Pa。6.膜厚均勻度小於3%。7.基片加熱可到500度，公轉速度2-20轉/分，可控可調。8.靶材利用率不小於40%。9.兩套600W射頻電源，兩套1000W直流濺射電源。10.質量流量控制器兩套(100sccm和200sccm各一套)。11.數字式智慧型流量控制儀，可與電腦連網形成全自動閉環控制，一帶四。12.缺水欠壓檢測與保護、380VAC相序檢測與保護、真空檢測與保護、溫度檢測與保護。13.計算機+PLC可程式控制系統1套。14.腔室部分：圓柱型、上開蓋、前開門，真空專用不鏽鋼(奧氏體)；前開門機構一套；預留2套備用法蘭口，用於設備的功能擴展。
主要功能
薄膜製備。
