超高真空磁控濺射系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2008年11月10日啟用。
基本介紹
- 中文名:超高真空磁控濺射系統
- 產地:中國
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:2008年11月10日
- 所屬類別:分析儀器 > 顯微鏡及圖象分析儀器 > 掃描探針顯微鏡
- 真空度:10^(-5)Pa
超高真空磁控濺射系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2008年11月10日啟用。
超高真空磁控濺射系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2008年11月10日啟用。技術指標真空度10^(-5)Pa。1主要功能實現單晶,多晶,單層,多層的薄膜的製備。1...
高真空磁控濺射系統 高真空磁控濺射系統是一種用於電子與通信技術領域的計量儀器,於2010年10月12日啟用。技術指標 濺射極限真空≤5E-6Pa;系統漏率:5E-7Pa.l/S。主要功能 製備各種薄膜材料。
非平衡磁控濺射系統有兩種結構,一種是其芯部磁場強度比外環高,磁力線沒有閉合,被引向真空室壁,基體表面的電漿密度低,因此該方式很少被採用。另一種是外環磁場強度高於芯部磁場強度,磁力線沒有完全形成閉合迴路,部分外環的...
高真空磁控濺射鍍膜系統 高真空磁控濺射鍍膜系統是一種用於材料科學領域的科學儀器,於2015年12月14日啟用。技術指標 子系統一:工裝和卡具。主要功能 鍍制各種功能性薄膜光電薄膜,半導體薄膜,硬質膜等。
超高真空磁控與離子束系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2006年12月1日啟用。技術指標 系統極限真空: 磁控濺射室:達6.6*10^-5Pa 離子束濺射室:達6.6*10^-5Pa 系統抽速: 磁控濺射室:達6.6*10^-4Pa 離子束...
磁控濺射鍍膜系統 磁控濺射鍍膜系統是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年06月29日啟用。技術指標 超高真空1E-6Pa,四寸濺射靶材,可以共同濺射。主要功能 可以濺射Al、Ti、PdAu的金屬薄膜。
高真空磁控濺射鍍膜機是一種用於材料科學、電子與通信技術領域的科學儀器,於2013年3月25日啟用。技術指標 設備共有3腔(反濺腔、濺射腔、氧化腔) 8靶 極限真空可達到5*10-6Pa,能進行2英寸晶圓鍍膜。主要功能 可通過直流濺射和...
濺射系統:磁控濺射儀的真空室中有三個磁控陰極靶,被水冷套冷卻。真空室上部放置有直徑為的圓形樣品托。陰極靶與樣品托之間的距離在內連續可調。功能 各種金屬薄膜的濺射蒸鍍 各種金屬、非金屬化合物薄膜的濺射沉積 薄膜的形成 核生長型...
磁控濺射沉積系統是一種用於材料科學、能源科學技術領域的儀器,於2016年01月01日啟用。技術指標 濺射室極限真空度:≤8.0x10-6Pa;進樣室極限真空度:≤6.67x10-4Pa;系統有5支磁控靶:4支2英寸,1支3英寸;。主要功能 能夠濺射...
磁控濺射氣相沉積系統是一種用於材料科學、機械工程領域的科學儀器,於2016年1月11日啟用。技術指標 (1) 真空性能:極限真空(Ultimate Pressure):9E-8Torr;真空抽速:30分鐘從大氣壓抽到4E-6Torr;真空室漏率:5 E-5Torr.L/s...
磁控濺射覆膜系統是一種用於材料科學、機械工程領域的分析儀器,於2015年12月24日啟用。技術指標 可以沉積金屬、金屬氧化物,理論最小厚度為單原子層,只能進行薄膜沉積,真空度8*10^-5,加熱溫度500度。主要功能 主要功能是進行薄膜的...
直線型磁控濺射沉積系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月26日啟用。技術指標 1.真空腔室:雙室立式方形結構,濺射室內腔體積大致為,進出樣室:500�260�700mm。 2.真空系統:使用3套1200升分子泵系統,美國...
三室多靶磁控濺射系統 三室多靶磁控濺射系統是一種用於物理學領域的分析儀器,於2017年12月11日啟用。技術指標 四靶室與八靶室真空都優於4*10-6Pa。 樣品室極限真空達到6*10-5Pa。主要功能 薄膜樣品製備。
中國科學院上海微系統與信息技術研究所原名中國科學院上海冶金研究所,前身是成立於1928年的國立中央研究院工程研究所,是中國最早的工學研究機構之一。新中國成立後隸屬中國科學院,曾命名中國科學院工學實驗館、中國科學院冶金陶瓷研究所。2...
實驗室重點設備有D8-Discover型高分辨X射線衍射儀、MTS納米壓痕儀、射頻探針系統、LWS-500型雷射焊接系統、超高真空多功能磁控濺射系統、微波ECR電漿源離子注/滲系統、微摩擦磨損試驗機、ECR-電漿增強MOCVD系統 (ESPD-U)、射頻感應...