超高真空多靶磁控濺射系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2011年10月31日啟用。
基本介紹
- 中文名：超高真空多靶磁控濺射系統
- 產地：日本
- 學科領域：材料科學
- 啟用日期：2011年10月31日
- 所屬類別：工藝試驗儀器 > 加工工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
本底真空(UltimatePressure):2.66×10-6Pa 沉積室尺寸(DepositionChamber):W450×D410×H450m 基片尺寸(SubstrateSize):F2~8inch 基片旋轉速度(RotatingSpeed)：0~20rpm(Motordriven) 沉積功率(CathodePower):DCpowersupply500W×3sets RFpowersupply200W×2sets 基片溫度（SubstrateHeating）:Max.800±20 厚度均勻性(ThicknessUniformity):±3%(F80mm) 沉積速率(DepositionRate):3.0nm/min(Nifilms)，2.0nm/min(ZnOfilms)。
主要功能
納米級的單層及多層功能膜-各種硬質膜、介質膜、鐵磁膜和磁性薄膜等的研發。
