離子束濺射沉積薄膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年9月26日啟用。
基本介紹
- 中文名:離子束濺射沉積薄膜系統
- 產地:中國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2011年9月26日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備
離子束濺射沉積薄膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年9月26日啟用。
離子束濺射沉積薄膜系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2011年9月26日啟用。技術指標1.主離子源離子源發射束徑:≥Φ120mm;離子能量可調範圍:0-1000eV;2.輔助離子源離子束轟擊範圍直徑:>Φ100...
全自動雙離子束濺射薄膜沉積系統是一種用於物理學領域的儀器,於2018年10月20日啟用。技術指標 真空室極限真空≤6.6×10-6Pa; 濺射沉積薄膜前本底壓強≤5×10-4Pa; 薄膜厚度均勻度:Ф200mm; 直徑範圍RSM值≤±5%、Ф150mm直徑...
離子束濺射(IBS),也稱為離子束沉積(IBD),是一種薄膜沉積工藝,使用離子源,將靶材(金屬或電介質)沉積或濺射到基片上,以形成金屬或電介質膜。因為離子束是等能的(離子具有相等的能量),且高度準直,所以與其他PVD(物理氣相沉積...
67x10-4Pa (經烘烤除氣後) 系統真空檢漏漏率:≤5.0x10-7Pa.l/S; 達到極限真空短暫暴露大氣後開始抽氣:濺射室4-5小時後能抽到5X10-5Pa; DC、RF、DCpuls濺射; 射頻離子束,Mark I離子束濺射。主要功能 真空薄膜沉積。
該設備為三室立式結構的超高真空多功能磁控與離子束聯合濺射鍍膜製備設備,可用於開發納米級的單層及多層功能膜-各種硬質膜、光學膜、金屬膜、半導體膜、磁性薄膜、介質膜和氧化物薄膜等。系統主要由磁控濺射室、磁控濺射靶2英寸4個(也可...
濺射薄膜高溫壓力變送器採用離子束濺射薄膜技術,全不鏽鋼一體化結構,高靈敏度壓力芯體,全焊接封裝在不鏽鋼殼體內,具有準確度高、輸出信號大、工作壽命長、適用溫度範圍寬、長期穩定性好,功耗低、無遲滯、重複性好等特點。耐受頻繁壓力...
濺射刻蝕時,應儘可能從濺射室中除去濺出的靶極原子。常用的方法是引入反應氣體,使之與濺出的靶極原子反應生成揮發性氣體,通過真空系統從濺射室中排出。澱積薄膜時,濺射源置於靶極,受氬離子轟擊後發生濺射。如果靶材是單質的,則在...
磁性薄膜、介質膜和氧化物薄膜等。系統主要由磁控濺射室、磁控濺射靶2英寸4個、直流電源、射頻電源、離子束室等組成。該系統具有離子束濺射鍍膜、磁控濺射鍍膜、樣品清洗及退火處理功能,每種沉積方式都有可以間替地對多種材料進行沉積。
9. 離子束濺射沉積薄膜系統的研製與套用,中國產學研合作創新成果一等獎,2018年。10. 物聯網智慧型服務平台關鍵技術及套用,中國通信學會科學技術一等獎,2018年。11. 中國石油大學(北京)優秀青年學者,2018年。12. 北京郵電大學優秀學士...