基本介紹
- 中文名:刻蝕均勻性
- 外文名:etch uniformity
刻蝕均勻性是一種衡量刻蝕工藝在整個矽片上,或整個一批,或批與批之間刻蝕能力的參數。刻蝕均勻性與選擇比有密切的關係,因為非均勻性刻蝕會產生額外的過刻蝕。2保持矽片的刻蝕均勻性是保證製造性能一致的關鍵。難點在於刻蝕工藝必須在...
電漿反應離子刻蝕系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2005年9月15日啟用。技術指標 最大樣品尺寸為4英寸。 ● SiO2刻蝕 刻蝕速率:100nm/min;刻蝕均勻性:±6% on 4” wafer;刻蝕選擇性:50:1 to AI,50:1 to Cr;微結構輪廓控制:89o-90o ● Si刻蝕 刻蝕速率:300nm/min;刻蝕均勻性:...
《反應離子刻蝕微觀不均勻性的跨尺度研究》是依託大連理工大學,由戴忠玲擔任醒目負責人的面上項目。項目摘要 針對反應離子刻蝕工藝,建立由自洽的電漿放電混合模型、表面物理化學作用微觀模型與刻蝕剖面演化模型構成的跨尺度模型;全面考慮濺射、吸附、解吸附、粒子散射、沉積等表面物理和化學過程;提出電漿混合模擬...
所謂負載效應,是局部刻蝕氣體的消耗大於供給引起的刻蝕速率下降或分部不均的效應。負載效應(Loading Effect)可以分為3種:巨觀負載效應(Macroloading),微觀負載效應(Microloading)以及與刻蝕深寬比相關的負載效應(Aspect Ratio Dependent Etching,ARDE)。定義 三種效應圖解說明如圖1所示。巨觀負載效應:因刻蝕總面積...
二氧化矽離子刻蝕儀 二氧化矽離子刻蝕儀是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年9月1日啟用。技術指標 刻蝕速〉1000A/min 刻蝕均勻性〈5%。主要功能 FBAR濾波器開發與套用。
不均勻 光纖材料的折射率不均勻造成的損耗。在工藝裡面,對於刻蝕工藝,均勻性是衡量刻蝕工藝在整個晶片上,或整個一批,或批與批之間刻蝕能力的參數。對於鍍膜工藝,均勻性是用來衡量鍍膜的膜厚是否一致的參數。NU%=(Emax—Emin)/Eave
雙頻刻蝕系統是一種用於數學領域的分析儀器,於2004年3月1日啟用。技術指標 Helicon腔體腔體極限真空8.0E-4Pa功率: 上電極0.6-1.5kW 下電極0-100W氣體種類:SF6 C4F8 Ar O2 N2 He工藝壓力0.01-1Pa工藝時襯底溫度-30℃--60℃刻蝕速率: Si 0.1-1.0 um/min均勻性: 4英寸樣片範圍內小於10%DFR腔體腔體...
感應耦合電漿刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器,於2013年3月26日啟用。技術指標 刻蝕均勻性≤5%,金屬刻蝕對氧化物及矽選擇比≥3。主要功能 等離子刻蝕,是乾法刻蝕中最常見的一種形式,其原理是暴露在電子區域的氣體形成電漿,由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體,從而形成了...
刻蝕機 刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,產地為英國,於2012年5月14日啟用。技術指標 均勻性±5%。主要功能 三五簇材料的台面及溝槽刻蝕。
1. 極限真空: 刻蝕室9.0×10-5 Pa (室內濕度≤55%) 進樣取樣室6.0×10-1 Pa。2. 刻蝕材料: 主要GaN、Sapphire材料,其它Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4等。3. 刻蝕速率: 0.01~ 2μ/min(據不同材料與工藝而定)。4. 刻蝕均勻性: ≤±5%(φ150mm範圍內)。5. 電極尺寸: φ200mm。主要功能 離子...
反應離子深刻蝕機是一種用於物理學、信息科學與系統科學、材料科學、機械工程領域的儀器,產於英國,於2013年03月20日啟用。技術指標 刻蝕速率10m/min;光刻膠刻蝕選擇比100:1;SiO2刻蝕選擇比150:1;刻蝕均勻性±3%(100mm直徑),±5%(150mm直徑);重複性#177;3%;陡直度(90±1);扇貝尺寸100nm。主要功能 該...
乾法刻蝕機 乾法刻蝕機是一種用於數學領域的分析儀器,於2016年2月1日啟用。技術指標 介電材料刻蝕:ICP模式;刻蝕精度:0.35微米。主要功能 自動化操作,刻蝕方式: ICP模式;刻蝕精度:0.35微米;主要刻蝕介質:Si3N4、Si、POLY-Si、SiO2等材料.刻蝕尺寸:8英寸。均勻性小於5%。
離子束刻蝕機是一種用於工程與技術科學基礎學科、測繪科學技術、航空、航天科學技術領域的工藝試驗儀器,於2013年07月15日啟用。技術指標 真空度1E-6mbar;最大樣品尺寸:500mm*1500mm;離子束刻蝕深度10nm-2000nm;刻蝕深度均勻性優於5%。主要功能 用於對融石英、半導體、金屬、光刻膠等材料的離子束刻蝕;設備使用...
氣路系統:2路進氣(可作清洗);2個質量流量計,2路顯示。8.可加工片子尺寸:Ф150mm以內。9.均勻性:±5%10.水溫控制範圍:5℃~25℃。主要功能 可刻蝕SiO2、Si、SiN、Mo、MoSi、Ta、TaSi、HfO2、光刻膠和多種金屬等,即在玻璃或石英等基片上刻蝕衍射光學元件。離子束刻蝕是微細加工的一種重要手段。
感應耦合電漿刻蝕設備 感應耦合電漿刻蝕設備是一種用於物理學、工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器,於2013年12月1日啟用。技術指標 均勻性<3%。主要功能 刻蝕。
於2016年9月23日啟用。技術指標 極限真空度4×10-4 Pa 沉積均勻性≦±5% 樣品台加熱溫度≦300℃ 樣品台尺寸Φ290mm 射頻電源:1200W和600W各一台 氣路系統:不低於6路 刻蝕均勻性:≦±5% 刻蝕樣品台帶水冷 自動恆壓系統:MKS薄膜規。主要功能 沉積介質薄膜如SiO2、SiN、Poly-Si等,並可以刻蝕。
反離子刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器,於2014年9月17日啟用。技術指標 (1) 載物台為150mm直徑的圓盤,可放置4英寸直徑的Si片和小片 (2) 刻蝕均勻性誤差±5%(4英寸內) (3) 有反應離子刻蝕和磁增強反應離子刻蝕兩種模式 (4) 真空度:5分鐘內真空抽至 0.5 Pa (5) 射頻電源自動...
KZ400離子束刻蝕裝置是一種用於工程與技術科學基礎學科、測繪科學技術、航空、航天科學技術領域的工藝試驗儀器,於2014年3月31日啟用。技術指標 真空度1E-6mbar;最大樣品尺寸:500mm*500mm;離子束刻蝕深度10nm-2000nm;刻蝕深度均勻性優於5%。主要功能 用於對融石英、半導體、金屬、光刻膠等材料的離子束刻蝕;...
ICP刻蝕通過電感耦合電漿輝光放電分解反應氣體,對樣品表面進行物理轟擊以及化學反應生成揮發性氣體,達到刻蝕的目的。具有兩套射頻電源,可以對電漿密度和轟擊到晶片上的離子能量進行獨立控制,具有刻蝕速率快、各向異性好、選擇比高、大面積刻蝕均勻性好等優勢,廣泛用於微機電、納米器件、量子晶片等研究領域金屬和...
隨著積體電路器件尺寸微縮與集成密度的提高,電漿刻蝕工藝也變得越來越重要。電漿刻蝕與光刻工藝共同形成了半導體領域的圖形化工藝模組,推動積體電路領域的工藝發展。衡量電漿刻蝕性能的參數一般包括刻蝕速率、刻蝕選擇比、刻蝕形貌以及特徵尺度及設備尺度的刻蝕均勻性。
高密度等離子刻蝕機 高密度等離子刻蝕機是一種用於材料科學領域的分析儀器,於2014年10月1日啟用。技術指標 1、可加工片子尺寸:Ф150mm以內。 2、均勻性:±5% (4英寸矽片內)。主要功能 薄膜材料刻蝕與加工。
感應耦合電漿刻蝕系統 感應耦合電漿刻蝕系統是一種用於物理學、信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2015年11月24日啟用。技術指標 均勻性優於5%。主要功能 化學氣相沉積SiO2和SiN。
金屬離子刻蝕儀 金屬離子刻蝕儀是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年9月1日啟用。技術指標 刻蝕速度>300min 速度均勻性<5%。主要功能 FBAR濾波器開發與套用。
1. 中心/邊沿獨立MFC及獨立射頻結構,針對各種MEMS工藝實現均勻性可調。 2. 採用大抽速分子泵,工藝視窗更寬。 3. 採用快速MFC進氣,保證工藝形貌滿足要求。 4. 封裝工藝配置高性能靜電卡盤,實現SOG晶圓的穩定吸附。 5. MEMS設備配置獨特工藝製程,能夠實現高達50:1的深寬比刻蝕,同時確保高刻蝕速率及低粗糙度...
反應離子刻蝕是當前套用很廣泛的刻蝕技術,在很低的氣壓下通過反應氣體在射頻電場作用下輝光放電產生電漿,實現離子的物理轟擊濺射和活性粒子的化學反應,從而完成高精度的圖形刻蝕。具有各向異性好、選擇比高、大面積刻蝕均勻性好等優勢,主要用於氧化矽、氮化矽等介質材料及聚合物材料(PI、PDMS)微納米結構刻蝕。
板子上下兩面以及板面上各個部位的蝕刻均勻性是由板子表面受到蝕刻劑流量的均勻性決定的。蝕刻過程中,上下板面的蝕刻速率往往不一致。一般來說,下板面的蝕刻速率高於上板面。因為上板面有溶液的堆積,減弱了蝕刻反應的進行。可以通過調整上下噴嘴的噴啉壓力來解決上下板面蝕刻不均的現象。蝕刻印製板的一個普遍問題是在...
由於有二氧化矽層隔離,器件層矽單晶的反應離子刻蝕會自動在二氧化矽隔離層處停止。儘管矽深刻蝕有以上提到的負載效應,但二氧化矽隔離層的存在保證了均勻一致的刻蝕深度。理想情況下,由於負載效應造成的刻蝕速率差異不會影響刻蝕的均勻性。但實驗發現刻蝕速率快的圖形在刻蝕到二氧化矽隔離層後並沒有完全停止,而是繼續沿...
etch,英語單詞,主要用作及物動詞、不及物動詞、名詞,作及物動詞時譯為”蝕刻;鮮明地描述;銘記“,作不及物動詞時譯為”蝕刻“,作名詞時譯為”刻蝕;腐蝕劑“。單詞用法 1.V-T If a line or pattern is etched into a surface, it is cut into the surface by means of acid or a sharp tool...
靶的旋轉則可以改善刻蝕的均勻性。在離子束刻蝕機中,決定刻蝕特性的主要參量是離子束的電流密度,離子能量和離子束轟擊基片的角度。這些參量可以獨立控制,所以離子束刻蝕具有很大的工藝靈活性。反應離子束刻蝕機的原理和離子束刻蝕機相似,只是為了避免反應離子的化學腐蝕作用,離子源的結構經過一定的改進或者採用冷陰極...
可以處理高達6英寸的晶片預真空互鎖反應腔可以允許氯元素參與反應使用具有高密度ICP等離子源可以刻蝕InP,GaAs,還有其他III-V族化合物,SiNx, SiO2, 還有光刻膠等物質刻蝕氣體選擇多樣,可為Cl2, SiCl4, BCl3, Ar, CF4, CHF3, and O2等。主要功能 具有多連線埠真空系統,可以提高刻蝕的均勻性可以自行設定刻蝕步驟...