金屬離子刻蝕儀是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年9月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:金屬離子刻蝕儀
- 產地:美國
- 學科領域:電子與通信技術
- 啟用日期:2012年9月1日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
刻蝕速度>300min 速度均勻性<5%。
主要功能
FBAR濾波器開發與套用。
金屬離子刻蝕儀是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年9月1日啟用。
金屬離子刻蝕儀是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年9月1日啟用。技術指標刻蝕速度>300min 速度均勻性<5%。1主要功能FBAR濾波器開發與套用。1...
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