二氧化矽離子刻蝕儀

二氧化矽離子刻蝕儀是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2012年9月1日啟用。

基本介紹

• 中文名：二氧化矽離子刻蝕儀
• 產地：美國
• 學科領域：電子與通信技術
• 啟用日期：2012年9月1日
• 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備

技術指標

刻蝕速〉1000A/min 刻蝕均勻性〈5%。

主要功能

FBAR濾波器開發與套用。