反應離子刻蝕儀是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年9月1日啟用。
基本介紹
- 中文名:反應離子刻蝕儀
- 產地:美國
- 學科領域:電子與通信技術
- 啟用日期:2012年9月1日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
刻蝕速度>250nm/min 刻蝕均勻性<5%。
主要功能
FBAR濾波器開發與套用。
反應離子刻蝕儀是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年9月1日啟用。
反應離子刻蝕儀是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年9月1日啟用。技術指標刻蝕速度>250nm/min 刻蝕均勻性<5%。1主要功能FBAR濾波器開發與套用。1...
金屬離子刻蝕儀 金屬離子刻蝕儀是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年9月1日啟用。技術指標 刻蝕速度>300min 速度均勻性<5%。主要功能 FBAR濾波器開發與套用。
二氧化矽離子刻蝕儀 二氧化矽離子刻蝕儀是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2012年9月1日啟用。技術指標 刻蝕速〉1000A/min 刻蝕均勻性〈5%。主要功能 FBAR濾波器開發與套用。
離子束刻蝕儀 離子束刻蝕儀是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2011年8月29日啟用。技術指標 電壓208V 電流200A PH3 CYC50/60。主要功能 FBAR濾波器開發與套用。
研究院所屬實驗室面積為5000m2,其中淨化面積1400m2,主要設備:高真空納米薄膜濺射系統、多靶磁控濺射系統、雙面光刻機、反應離子刻蝕儀、掃描電子顯微鏡、電化學分析儀、等離子增強化學氣相沉積儀、電子束蒸發沉積設備、真空熱壓機、俄歇電子能譜儀、表面輪廓儀、氧化擴散爐、4噸18兆去離子水系統、高效液相色譜儀、...