反應離子金屬刻蝕系統

反應離子金屬刻蝕系統是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器，於2016年04月15日啟用。

基本介紹

• 中文名：反應離子金屬刻蝕系統
• 產地：英國
• 學科領域：工程與技術科學基礎學科
• 啟用日期：2016年04月15日
• 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備

技術指標

ICP 源：3000W 2MHz RF 源：600 W 13.56MHz 晶片尺寸：最大 6 英寸 Au刻蝕：速率＞100nmmin；對PR選擇比＞1 Cr刻蝕：速率＞50nm/min；對PR選擇比＞0.5 Al刻蝕：速率＞250nm/min；對PR選擇比＞2 砷化鎵刻蝕：速率＞5um/min；對SiO2選擇比＞20。

主要功能

ICP刻蝕通過電感耦合電漿輝光放電分解反應氣體，對樣品表面進行物理轟擊以及化學反應生成揮發性氣體，達到刻蝕的目的。具有兩套射頻電源，可以對電漿密度和轟擊到晶片上的離子能量進行獨立控制，具有刻蝕速率快、各向異性好、選擇比高、大面積刻蝕均勻性好等優勢，廣泛用於微機電、納米器件、量子晶片等研究領域金屬和III-V族化合物等材料微納米結構刻蝕。