離子束刻蝕設備

離子束刻蝕設備是一種用於物理學領域的儀器，於2018年10月20日啟用。

基本介紹

• 中文名：離子束刻蝕設備
• 產地：中國
• 學科領域：物理學
• 啟用日期：2018年10月20日

技術指標

1、刻蝕室極限真空度：≤9.0×10-5Pa； 2、刻蝕材料：矽、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物、陶瓷以及各種金屬、非金屬硬質薄膜等； 3、刻蝕速率：≥ 10 nm ~ 200 nm /min (視具體刻蝕材料與工藝)； 4、離子源：Φ150mm口徑圓形直流離子源； 5、Ar+離子能量範圍： 100~1000 eV； 6、離子束流密度： 0~1 mA/cm2。

主要功能

本設備具有微結構光電子器件樣品進行微米量級圖形曝光製作的能力，可以作為刻蝕系統的後套工序在襯底上形成精細圖形。