深反應離子刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學、電子與通信技術領域的電子測量儀器,於2018年8月6日啟用。
基本介紹
- 中文名:深反應離子刻蝕機
- 產地:中國
- 學科領域:信息科學與系統科學、電子與通信技術
- 啟用日期:2018年8月6日
- 所屬類別:電子測量儀器
深反應離子刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學、電子與通信技術領域的電子測量儀器,於2018年8月6日啟用。
深反應離子刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學、電子與通信技術領域的電子測量儀器,於2018年8月6日啟用。技術指標PlasmaPro100 Estrelas。1主要功能淺刻蝕或者深刻蝕矽材料。1...
反應離子深刻蝕機是一種用於物理學、信息科學與系統科學、材料科學、機械工程領域的儀器,產於英國,於2013年03月20日啟用。技術指標 刻蝕速率10m/min;光刻膠刻蝕選擇比100:1;SiO2刻蝕選擇比150:1;刻蝕均勻性±3%(100mm直徑),±...
反應離子刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年9月30日啟用。技術指標 反應離子刻蝕機在射頻電源驅動下,在上下電極間形成電壓差、產生輝光放電,反應氣體分子被電離生成電漿;根據功率、氣體、襯底...
等離子刻蝕機,又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、電漿刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕,是乾法刻蝕中最常見的一種形式,其原理是暴露在電子區域的氣體形成電漿,由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的...
圖1是反應離子刻蝕系統原理圖。通常情況下,反應離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側面的接地禁止罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個反應室。...
反應離子刻蝕機台是一種用於電子與通信技術、信息與系統科學相關工程與技術、航空、航天科學技術領域的工藝試驗儀器,於2017年09月21日啟用。技術指標 1. 高選擇性各向異性腐蝕,符合苛刻的製程要求; 2. 全自動一鍵操作完全代替手動操作...
套用了基子和離子碰撞的平面式反應器也被使用。至於化學電漿刻蝕,這個作為協同電漿刻蝕系統的名字不總是合適的。與利用高壓(>100mTorr)操作的等離子刻蝕機(PE)相區別,經常把低壓的、不對稱的平面反應器叫做反應性離子刻蝕機(...
感應耦合反應離子刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年10月15日啟用。技術指標 4英寸內刻蝕不均勻性小於3.5%(3-sigma標準)。使用CHF3刻蝕Pyrex 7740玻璃時,刻蝕速率不低於100nm/min。對AZP光膠(120攝氏度hard ...
一個限制離子束刻蝕機在半導體工藝中廣泛使用的主要問題是它的低選擇比(通常低於3:1)和低產能的刻蝕速率。離子銑有兩個重要的優點:定向性和普適性。刻蝕的定向性是由於離子束中的離子是通過一個強垂直電場來加速的,反應室中的壓力...
台式反應離子刻蝕機是一種用於自然科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2014年11月01日啟用。技術指標 帶有8英寸底電極的Sirus T2反應裝置; 系統控制器(包括一套電腦系統和觸控螢幕界面); 四個氣體流量控制器; 與13.56 MHz 600...
刻蝕設備:反應離子刻蝕機(RIE);感應耦合電漿刻蝕系統(ICP);等離子去膠機(PS);生長設備:原子層沉積系統(ALD);熱蒸發(TE);電子束蒸發(EB);磁控濺射(MS);化學氣相沉積(CVD)薄膜生長系統;以及電漿增強化學氣相沉積...
刻蝕設備 Sentech ICP反應離子刻蝕機(用於金屬薄膜)NMC ICP反應離子刻蝕機(用於介質薄膜)SPTS反應離子式深矽刻蝕系統(DRIE-I)NMC反應離子式深矽刻蝕系統(DRIE-II)PVA-TePla微波等離子去膠機/表面處理機 測試設備 FSM薄膜應力測量...
實驗室擁有對於微電子研究具有關鍵意義的濺射系統,分步投影光刻機、中束流離子注入機、快速熱處理設備、反應離子刻蝕機等設備。實驗室是由工藝研究技術單元、CAE技術單元、測試分析技術單元構成的。軟硬體協同設計實驗室 軟硬體協同設計實驗...