感應耦合反應離子刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年10月15日啟用。
基本介紹
- 中文名:感應耦合反應離子刻蝕機
- 產地:中國
- 學科領域:材料科學
- 啟用日期:2012年10月15日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
感應耦合反應離子刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年10月15日啟用。
感應耦合反應離子刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年10月15日啟用。技術指標4英寸內刻蝕不均勻性小於3.5%(3-sigma標準)。使用CHF3刻蝕Pyrex 7740玻璃時,刻蝕速率不低於100n...
電感耦合電漿反應離子刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2009年6月15日啟用。技術指標 蝕刻反應室抽氣速率:真空度5.0×10^-5Torr(15分鐘內);蝕刻反應室極限真空:8.0×10^-6Torr;裝載室抽氣速率:真空度5.0...
自動感應耦合電漿刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2015年11月18日啟用。技術指標 1. 極限真空: 刻蝕室9.0×10-5 Pa (室內濕度≤55%) 進樣取樣室6.0×10-1 Pa。2. 刻蝕材料: 主要GaN、Sapphire材料,...
電感耦合反應等離子刻蝕機 電感耦合反應等離子刻蝕機是一種用於物理學、材料科學領域的物理性能測試儀器,於2018年6月8日啟用。技術指標 能在最大直徑為200mm的晶圓上獲得均勻、快速的蝕刻速率。主要功能 微納加工。
圖1是反應離子刻蝕系統原理圖。通常情況下,反應離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側面的接地禁止罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個反應室。...
反應離子深刻蝕機是一種用於物理學、信息科學與系統科學、材料科學、機械工程領域的儀器,產於英國,於2013年03月20日啟用。技術指標 刻蝕速率10m/min;光刻膠刻蝕選擇比100:1;SiO2刻蝕選擇比150:1;刻蝕均勻性±3%(100mm直徑),±...
反應離子刻蝕機台是一種用於電子與通信技術、信息與系統科學相關工程與技術、航空、航天科學技術領域的工藝試驗儀器,於2017年09月21日啟用。技術指標 1. 高選擇性各向異性腐蝕,符合苛刻的製程要求; 2. 全自動一鍵操作完全代替手動操作...
離子銑,也稱為離子束刻蝕(IBE),是具有強方向性電漿的一種物理刻蝕機理。它能對小尺寸圖形產生各向異性刻蝕。電漿通常是由電感耦合RF源或微波源產生的。熱燈絲髮射快速運動的電子。氬原子通過擴散篩進入等離子腔體內。電磁場...
台式反應離子刻蝕機是一種用於自然科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2014年11月01日啟用。技術指標 帶有8英寸底電極的Sirus T2反應裝置; 系統控制器(包括一套電腦系統和觸控螢幕界面); 四個氣體流量控制器; 與13.56 MHz 600...
全自動反應離子束刻蝕機是一種用於物理學、材料科學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2014年10月27日啟用。技術指標 1. 刻蝕室真空度極限:≤9×10-5Pa 2. 刻蝕材料:各種金屬薄膜、硬質薄膜等 3. 刻蝕速率:≥100 - 2000...
RIE反應離子刻蝕機是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2014年11月24日啟用。技術指標 SiO2刻蝕速率30 nm/min; SiNx刻蝕速率80-150 nm/min; SiNx、SiO2刻蝕速率選擇比>3:1。主要功能 SiO2、SiNx精細結構的低...
它的弱點是刻蝕速度較低,選擇性比較差。傳導耦合性電漿刻蝕的優勢在於刻蝕速率高、良好的物理形貌和通過對反應氣體的選擇,達到針對光刻膠和襯底的高選擇比。一般用於對特徵形貌沒有要求的去膠(ashing,灰化)工藝。反應離子刻蝕是上述...
深反應離子刻蝕機 深反應離子刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學、電子與通信技術領域的電子測量儀器,於2018年8月6日啟用。技術指標 PlasmaPro100 Estrelas。主要功能 淺刻蝕或者深刻蝕矽材料。
其中電感耦合等離子體裝置(ICP)被廣泛套用於刻蝕等工藝中。在低壓下,反應氣體在射頻功率的激發下,產生電離形成電漿,電漿中含有大量的電子、離子、激發態的原子、分子和自由基等活性粒子,這些活性反應基團和被刻蝕物質表面發生...
ECR刻蝕機 ECR刻蝕機是一種用於物理學領域的科學儀器,於2000年8月1日啟用。技術指標 微波功率:0~1kW, 壓力:0.01~0.2kPa。主要功能 矽片、玻璃等材料的刻蝕;功能薄膜材料的沉積;等離子體改性。
比如不同的工藝使用不同的Focus Ring 5: Narrow Gap:窄的Gap設計可以使得電子穿過殼層,中和晶圓上多餘的離子,有利於提高刻蝕剖面陡直度。6:反應室結構設計;由200mm時的側抽,改為下抽或者側下抽。有利於提高氣流均一性。
工作面向IC裝備製造產業,採用實驗診斷和數值仿真模擬的方法研究射頻感應耦合電漿刻蝕機、PECVD裝備中的電漿工藝腔室的放電機理。面向磁約束核聚變中性束注入系統中關鍵裝備——大功率低氣壓射頻負氫離子源開展物理基礎研究。作為負責人...
刻蝕設備:反應離子刻蝕機(RIE);感應耦合電漿刻蝕系統(ICP);等離子去膠機(PS);生長設備:原子層沉積系統(ALD);熱蒸發(TE);電子束蒸發(EB);磁控濺射(MS);化學氣相沉積(CVD)薄膜生長系統;以及電漿增強化學氣相沉積...