電感耦合反應等離子刻蝕機是一種用於物理學、材料科學領域的物理性能測試儀器,於2018年6月8日啟用。
基本介紹
- 中文名:電感耦合反應等離子刻蝕機
- 產地:英國
- 學科領域:物理學、材料科學
- 啟用日期:2018年6月8日
- 所屬類別:物理性能測試儀器
電感耦合反應等離子刻蝕機是一種用於物理學、材料科學領域的物理性能測試儀器,於2018年6月8日啟用。
電感耦合反應等離子刻蝕機是一種用於物理學、材料科學領域的物理性能測試儀器,於2018年6月8日啟用。技術指標能在最大直徑為200mm的晶圓上獲得均勻、快速的蝕刻速率。1主要功能微納加工。1...
電感耦合等離子刻蝕機是一種用於機械工程領域的工藝試驗儀器,於2014年12月01日啟用。技術指標 0 微米深矽刻蝕 約2.5微米獨立汽坑寬 大於 1 微米光刻膠掩膜厚度或大約 0.5 微米 SiO2 掩膜掩膜圓形的矽暴露面積小於 10% 刻蝕速度 2...
感應耦合電漿刻蝕法(Inductively Coupled Plasma Etch,簡稱ICPE)是化學過程和物理過程共同作用的結果。它的基本原理是在真空低氣壓下,ICP 射頻電源產生的射頻輸出到環形耦合線圈,以一定比例的混合刻蝕氣體經耦合輝光放電,產生高密度的...
電感耦合等離子刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年4月30日啟用。技術指標 6英寸SiO2,刻蝕速率>200nm/min,6英寸Si3N4,刻蝕速率>200nm/min,6英寸Si,刻蝕速率>1000nm/min;片內均勻性優於±3%,重複性...
電感耦合電漿刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月21日啟用。技術指標 (1)一個8 英寸矽圓片樣品或6 個2 英寸樣品;#11;(2)可選6-12 種氣體;#11;(3)可刻蝕多種材料,如可進行深矽刻蝕,...
通常情況下,反應離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側面的接地禁止罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個反應室。對反應腔中的腐蝕氣體, 加上...
離子銑,也稱為離子束刻蝕(IBE),是具有強方向性等離子體的一種物理刻蝕機理。它能對小尺寸圖形產生各向異性刻蝕。電漿通常是由電感耦合RF源或微波源產生的。熱燈絲髮射快速運動的電子。氬原子通過擴散篩進入等離子腔體內。電磁場...
圖1所示的電感耦合等離子體裝置是2005年2月之前半導體刻蝕設備中大多數採用的結構。一般由反應腔室4、靜電卡盤6與電感耦合線圈3組成,靜電卡盤6位於反應腔室4與匹配器8和射頻源7連線,靜電卡盤6上安裝晶片5。電感耦合線圈3位於反應腔室4...
ICP刻蝕機 ICP刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年3月2日啟用。技術指標 TCP刻蝕機的刻蝕解析度:100nm;基片尺寸:2英寸、4英寸。主要功能 用於Si、GaN、藍寶石等材料的乾法蝕刻。
ECR刻蝕機 ECR刻蝕機是一種用於物理學領域的科學儀器,於2000年8月1日啟用。技術指標 微波功率:0~1kW, 壓力:0.01~0.2kPa。主要功能 矽片、玻璃等材料的刻蝕;功能薄膜材料的沉積;等離子體改性。
傳導耦合性等離子體刻蝕的優勢在於刻蝕速率高、良好的物理形貌和通過對反應氣體的選擇,達到針對光刻膠和襯底的高選擇比。一般用於對特徵形貌沒有要求的去膠(ashing,灰化)工藝。反應離子刻蝕是上述兩種刻蝕方法相結合的產物,它是利用有...
ME-3A型磁增強反應離子刻蝕機在材料微納米尺寸的精細加工過程中對光刻膠、Si02、SixNy、多晶矽等材料進行刻蝕或對材料表面做處理。反應離子刻蝕機採用三氟甲烷作為腐蝕氣體,通過外加射頻電壓將腐蝕氣體離化為等離子體,電漿在外電場...
1:雙區進氣+additional Gas:Additional Gas的目的是通過調節內外區敏感氣體的量提高整個刻蝕均一性,結果比較明顯。2:等離子體技術:電漿密度和能量單獨控制 3:電漿約束:減少Particle,提高結果重複性 4:工藝組件:適應不同工藝...