電感耦合電漿刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月21日啟用。
基本介紹
- 中文名:電感耦合電漿刻蝕系統
- 產地:中國
- 學科領域:物理學、材料科學
- 啟用日期:2015年10月21日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備
電感耦合電漿刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月21日啟用。
電感耦合電漿刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年10月21日啟用。技術指標(1)一個8 英寸矽圓片樣品或6 個2 英寸樣品;#11;(2)可選6-12 種氣體;#11;(3)可刻蝕多種材...
電感耦合等離子刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2015年4月30日啟用。技術指標 6英寸SiO2,刻蝕速率>200nm/min,6英寸Si3N4,刻蝕速率>200nm/min,6英寸Si,刻蝕速率>1000nm/min;片內均勻性優於±3%,重複性...
某種程度來講,等離子清洗實質上是電漿刻蝕的一種較輕微的情況。進行乾式蝕刻工藝的設備包括反應室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應室。氣體被導入並與電漿進行交換。電漿在工件表面發生反應,反應的揮發性副產物被...
用於反應離子刻蝕:通過ICP源產生低溫電漿,刻蝕材料表面,改變材料的物理與化學性質(ICP-RIE);氣相沉積薄膜技術(rf-ICP)。電感耦合等離子體原子發射光譜 電感耦合電漿原子發射光譜法(Inductively coupled plasma atomic emission ...
電感耦合線圈3位於反應腔室4上方與匹配器2和射頻源1連線。在半導體加工過程中,進入反應腔室4的工藝氣體被上方的電感耦合線圈3電離形成電漿,生成的電漿刻蝕晶片5表面的材質。系統中分子泵抽出反應腔室4中的氣體。在這一過程中,...
感應耦合等離子系統是一種用於數學領域的分析儀器,於2007年10月1日啟用。技術指標 可以處理高達6英寸的晶片預真空互鎖反應腔可以允許氯元素參與反應使用具有高密度ICP等離子源可以刻蝕InP,GaAs,還有其他III-V族化合物,SiNx, SiO2, 還有...
圖1是反應離子刻蝕系統原理圖。通常情況下,反應離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側面的接地禁止罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個反應室。...
電漿化學氣相沉積及刻蝕系統是一種用於工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年9月23日啟用。技術指標 極限真空度4×10-4 Pa 沉積均勻性≦±5% 樣品台加熱溫度≦300℃ 樣品台尺寸Φ290mm 射頻電源:1200W和...
4.2.4 扇出型封裝中的矽刻蝕工藝73 4.3 先進封裝中的聚合物刻蝕74 4.4 先進封裝中翹曲片的電漿處理方法75 參考文獻76 第5章 電漿刻蝕機78 5.1 電漿刻蝕機軟硬體結構78 5.1.1 傳輸系統78 5...
電感耦合等離子質譜系統是一種用於化學、生物學、藥學、食品科學技術領域的分析儀器,於2017年10月17日啟用。技術指標 1. 質譜範圍:2-260amu 2. 禁止炬技術:STS消干擾禁止炬技術,可實現工作線圈和接口的二次放電消除功能,同時具有...
冷卻氣(Ar)通過外部及中間的通道,環繞電漿起穩定電漿炬及冷卻石英管壁,防止管壁受熱熔化的作用。電感耦合電漿發光光譜分析(ICP)。原理介紹 高頻振盪器發生的高頻電流,經過耦合系統連線在位於電漿發生管上端,銅製內部用...
根據電源與電漿耦合的方式不同,高頻電漿炬可分為:電感耦合型(圖4a)、電容耦合型(圖4b)、微波耦合型(圖4c)和火焰型(圖4d)。高頻電漿炬由三部分組成:高頻電源、放電室、電漿工作氣供給系統。後者除了供軸向工作氣...
4.4新型存儲器與系統集成晶片 4.4.1SoC晶片市場主要廠商 4.4.2SoC晶片中嵌入式存儲器的要求與器件種類 4.5新型相變存儲器的介紹及電漿蝕刻的套用 4.5.1相變存儲器的下電極接觸孔蝕刻工藝 4.5.2相變存儲器的GST蝕刻工藝 4....
電感耦合電漿質譜儀系統 電感耦合電漿質譜儀系統是一種用於預防醫學與公共衛生學領域的分析儀器,於2015年1月26日啟用。技術指標 高效液相色譜聯用。主要功能 元素分析,檢測。
是行業中成功且套用廣泛的串聯電感耦合電漿質譜儀。Agilent 8900 ICP-MS/MS 提供了一系列配置,適合從常規商業分析到高級研究和高純度材料分析的套用,其重新定義了 ICP-MS 性能,可提供分析結果。8900 系統具有優秀的單四極桿 ICP-...
電感耦合電漿質譜儀--液相色譜系統是一種用於生物學、農學、食品科學技術、環境科學技術及資源科學技術領域的科學儀器,於2018年11月1日啟用。技術指標 配置全基體進樣系統 (AMS)和電子稀釋技術 (EDR),分析動態線性範圍達12個數量級...
1:雙區進氣+additional Gas:Additional Gas的目的是通過調節內外區敏感氣體的量提高整個刻蝕均一性,結果比較明顯。2:電漿技術:電漿密度和能量單獨控制 3:電漿約束:減少Particle,提高結果重複性 4:工藝組件:適應不同工藝...
ICP刻蝕系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器,於2015年5月25日啟用。技術指標 1.片內均勻性(3”)4%(距離基片邊緣3mm處) 2.批-批均勻性(3”)4%(距離基片邊緣3mm處) 3.極限真空度(在12小時以內)3*10-7Torr 4...
因此在於法刻蝕工藝中反應性離子刻蝕得到廣泛套用。反應性離子刻蝕特點及設備 套用了基子和離子碰撞的平面式反應器也被使用。至於化學電漿刻蝕,這個作為協同電漿刻蝕系統的名字不總是合適的。與利用高壓(>100mTorr)操作的等離子刻...
8.4 乾法刻蝕之二:反應離子深刻蝕 8.4.1 電感耦合電漿刻蝕系統 8.4.2 Bosch工藝 8.4.3 納米結構的深刻蝕 8.4.4 反應離子深刻蝕中存在的問題 8.5 乾法刻蝕之三:電漿刻蝕 8.6 乾法刻蝕之四:離子濺射刻蝕 8.7 ...