ICP刻蝕系統

ICP刻蝕系統是一種用於物理學領域的物理性能測試儀器，於2015年5月25日啟用。

基本介紹

• 中文名：ICP刻蝕系統
• 產地：英國
• 學科領域：物理學
• 啟用日期：2015年5月25日
• 所屬類別：物理性能測試儀器 > 光電測量儀器

技術指標

1.片內均勻性（3”）4%（距離基片邊緣3mm處） 2.批-批均勻性（3”）4%（距離基片邊緣3mm處） 3.極限真空度（在12小時以內）3*10-7Torr 4.ICP功率：3000W,頻率13.56MHz。

主要功能

用於乾法刻蝕GaAs,GaN,InGaAs,HfOx和ZnO等半導體材料。