電漿刻蝕系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器，於2013年11月15日啟用。
電漿刻蝕系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器，於2013年11月15日啟用。技術指標刻蝕SiO2速度 25 nm/min；刻蝕SiO2不均勻性±6% (420mm)；刻蝕SiNx速度 20 n...
電漿刻蝕（Plasma Etching），是將曝光顯影在光刻膠上的圖形轉移到目標材料上，最終形成所需設計圖案的過程。等離子刻蝕是半導體製造領域常用的一種目標材料去除工藝，一般通過外加電磁場激發腔室內特定氣體生成含高能粒子的電漿。等離...
電漿反應離子刻蝕系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2005年9月15日啟用。技術指標 最大樣品尺寸為4英寸。 ● SiO2刻蝕 刻蝕速率：100nm/min；刻蝕均勻性：±6% on 4” wafer；刻蝕選擇性：50:1 to AI，50:1 to ...
電漿化學氣相沉積及刻蝕系統是一種用於工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年9月23日啟用。技術指標 極限真空度4×10-4 Pa 沉積均勻性≦±5% 樣品台加熱溫度≦300℃ 樣品台尺寸Φ290mm 射頻電源：1200W和...
電感耦合電漿刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2015年10月21日啟用。技術指標 (1)一個8 英寸矽圓片樣品或6 個2 英寸樣品；#11;(2)可選6-12 種氣體；#11;(3)可刻蝕多種材料，如可進行深矽刻蝕，...
等離子刻蝕機，又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、電漿刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕，是乾法刻蝕中最常見的一種形式，其原理是暴露在電子區域的氣體形成電漿，由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的...
雙工藝腔體電漿刻蝕系統 雙工藝腔體電漿刻蝕系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2013年1月15日啟用。技術指標 兩個工藝腔體,不均勻性4.64%。主要功能 刻蝕。
它由於採用了感應棚合電漿(Inductively CupledPlasma.ICP),所以與傳統的反應離子刻蝕(RIE)、電子迴旋共振(ECR)等刻蝕技術相比，具有更大的各向異性刻蝕速率比和更高的刻蝕速率，且系統結構簡單。由於矽材料本身較脆，需要將加工了的矽...
至於化學電漿刻蝕，這個作為協同電漿刻蝕系統的名字不總是合適的。與利用高壓(>100mTorr)操作的等離子刻蝕機(PE)相區別，經常把低壓的、不對稱的平面反應器叫做反應性離子刻蝕機(RIE)。當然，電漿刻蝕正發生在流體上，離子不...
自動感應耦合電漿刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2015年11月18日啟用。技術指標 1. 極限真空: 刻蝕室9.0×10-5 Pa (室內濕度≤55%) 進樣取樣室6.0×10-1 Pa。2. 刻蝕材料: 主要GaN、Sapphire材料，...
但是該刻蝕技術不能獲得較高的選擇比，對表面的損傷大，有污染，難以形成更精細的圖形。工作原理 圖1是反應離子刻蝕系統原理圖。通常情況下，反應離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側面的接地禁止罩可防止功率...
人們對這兩種極端過程進行折中，得到廣泛套用的一些物理化學性刻蝕技術。例如反應離子刻蝕（RIE --Reactive Ion Etching）和高密度電漿刻蝕（HDP）。這些工藝通過活性離子對襯底的物理轟擊和化學反應雙重作用刻蝕，同時兼有各向異性和選擇...
介質電漿刻蝕設備是一種用於信息科學與系統科學、電子與通信技術領域的分析儀器，於2019年4月29日啟用。技術指標 儀器儀表，計量標準器具及量具，衡器。主要功能 使用基於物理轟擊和化學腐蝕相結合的手段，進行薄膜材料的刻蝕減薄，以及微...
4.2.4 扇出型封裝中的矽刻蝕工藝73 4.3 先進封裝中的聚合物刻蝕74 4.4 先進封裝中翹曲片的電漿處理方法75 參考文獻76 第5章 電漿刻蝕機78 5.1 電漿刻蝕機軟硬體結構78 5.1.1 傳輸系統78 5...
離子刻蝕沉積系統是一種用於材料科學領域的儀器，於2008年12月22日啟用。技術指標 背景真空: 10sup-7/supTorr；8路反應和刻蝕氣體；均有流量計精確控制；生長與刻蝕雙腔獨立；襯底工作溫度：700℃。主要功能 矽基半導體薄膜沉積與等離子...
4.4新型存儲器與系統集成晶片 4.4.1SoC晶片市場主要廠商 4.4.2SoC晶片中嵌入式存儲器的要求與器件種類 4.5新型相變存儲器的介紹及電漿蝕刻的套用 4.5.1相變存儲器的下電極接觸孔蝕刻工藝 4.5.2相變存儲器的GST蝕刻工藝 4....
感耦合電漿刻蝕機 感耦合電漿刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學、物理學領域的計算機及其配套設備，於2017年4月17日啟用。技術指標 PlasmaPro。主要功能 測量用。
1；刻蝕均勻性±3%(100mm直徑)，±5%(150mm直徑)；重複性#177;3%；陡直度(90±1);扇貝尺寸100nm。主要功能 該設備是英國牛津電漿技術公司針對深矽刻蝕研製的新一代反應離子刻蝕系統，用於刻蝕高深寬比矽微結構。
《一種電漿刻蝕工藝中的終點檢測的新概念和技術》是依託清華大學，由蒲以康擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 等離子刻蝕被廣泛套用在半導體器件的生產工藝中，而刻蝕工藝過程中的終點檢測被認為是一項關鍵技術，本項目提出了一種新的...
反應離子金屬刻蝕系統是一種用於工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器，於2016年04月15日啟用。技術指標 ICP 源：3000W 2MHz RF 源：600 W 13.56MHz 晶片尺寸：最大 6 英寸 Au刻蝕：速率＞100nmmin；對PR選擇比＞1 Cr刻蝕...
反離子刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器，於2014年9月17日啟用。技術指標 (1) 載物台為150mm直徑的圓盤，可放置4英寸直徑的Si片和小片 (2) 刻蝕均勻性誤差±5%（4英寸內） (3) 有反應離子刻蝕和磁增強反應...
高深寬經矽微結構和加工需要嚴格的各項異性電漿深刻蝕，電漿低溫刻蝕工藝由於其獨特的刻蝕機理能夠滿足這一加工要求。本項目集中研究該刻蝕技術產生各向異性刻蝕的物理化學機制及其相關的工藝影響因素，研究的深入進行將促進該項刻蝕技術...
電漿沉積薄膜可以作為反滲透膜(此種膜對通過的海水有較好的脫鹽效果)。此外，低氣壓電漿可用於金屬固體表面加工。例如，電漿刻蝕是利用輝光放電在氣體中產生反應性氣體，並與固體表面材料化合成揮發性物質，而在表面刻蝕出圖象。
《電漿刻蝕過程的計算機模擬》是依託大連理工大學,由王友年擔任醒目負責人的面上項目。項目摘要 研究反應性電漿刻蝕工藝過程中電漿鞘層對微結構刻蝕圖形剖面的影響，模擬磁化射頻電漿鞘層中帶電粒子的能量分布及角度分布、電場...
《粉塵在電漿中沉降時的刻蝕動力學研究》是依託華中科技大學，由尹盛擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 研製新的刻蝕反應室，使粉粒能均勻拋撒和自動回流重新拋撒進入反應區、具有大的落程。用氣流反吹等進一步增加粉粒的懸浮時間...
《碳氟性電漿的放電機理和刻蝕過程的研究》是依託大連理工大學,由趙書霞擔任醒目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 為了滿足國內和國際微電子企業對刻蝕工藝性能最佳化的苛刻要求，需要從微觀角度詮釋電漿內部放電細節以及其與材料表面...
