《粉塵在電漿中沉降時的刻蝕動力學研究》是依託華中科技大學，由尹盛擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：粉塵在電漿中沉降時的刻蝕動力學研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：尹盛
- 依託單位：華中科技大學
- 負責人職稱：副教授
- 批准號：10475029
- 研究期限：2005-01-01 至 2007-12-31
- 申請代碼：A2902
- 支持經費：32（萬元）
中文摘要
研製新的刻蝕反應室，使粉粒能均勻拋撒和自動回流重新拋撒進入反應區、具有大的落程。用氣流反吹等進一步增加粉粒的懸浮時間，改變參數使鞘層增大，中性區減少甚至消失，使粉粒沉降時總處於離子能量高的鞘層內，外加磁場使粉粒定向自旋，從而實現粉粒表面的長時間、高速和均勻刻蝕（一次沉降可刻蝕5nm以上）。從微觀基元反應出發，建立鞘層和粉粒刻蝕速率模型並將其轉換成巨觀工藝參數表達的顯函式形式。理論總結後建立粉粒收集、自旋及表面鈍化等判據以利工藝最佳化和控制。粉粒表面刻蝕能用於粉粒的表面雜質去除、表面清潔處理和表面改性等，具有很好的套用前景。本研究尚未見國內、外有報導，屬新開展的研究，因此無論是所需解決的技術關鍵，還是建立的動力學模型和判據都屬獨創性工作，具有較大的科學意義和套用前景。
