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電漿刻蝕過程的計算機模擬
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- 電漿刻蝕過程的計算機模擬
《電漿刻蝕過程的計算機模擬》是依託大連理工大學,由王友年擔任醒目負責人的面上項目。項目摘要研究反應性電漿刻蝕工藝過程中電漿鞘層對微結構刻蝕圖形剖面的影響，模擬磁化射頻電漿鞘層中帶電粒子的能量分布及角度分布...
- 脈衝調製電漿增強原子層刻蝕多尺度研究
表面過程模型與刻蝕形貌演化模型所構成的多尺度模型，研發出了較為高效、穩定和較高精度的包括電漿輸運過程、表面過程和刻蝕過程的模擬程式，多個尺度地模擬電漿增強原子層刻蝕全過程。
- 電漿刻蝕系統
電漿刻蝕系統是一種用於信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器，於2013年11月15日啟用。技術指標 刻蝕SiO2速度 25 nm/min；刻蝕SiO2不均勻性±6% (420mm)；刻蝕SiNx速度 20 nm/min；刻蝕SiNx不均勻性±6% (420mm)。主...
- 等離子刻蝕機
等離子刻蝕機，又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、電漿刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕，是乾法刻蝕中最常見的一種形式，其原理是暴露在電子區域的氣體形成電漿，由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的...
- 電漿蝕刻及其在大規模積體電路製造中的套用
《電漿蝕刻及其在大規模積體電路製造中的套用》是2018年2月清華大學出版社出版的圖書，作者是張海洋。內容簡介 本書共9章，基於公開文獻全方位地介紹了低溫電漿蝕刻技術在半導體產業中的套用及潛在發展方向。以低溫電漿蝕刻技術...
- 自動感應耦合電漿刻蝕機
自動感應耦合電漿刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2015年11月18日啟用。技術指標 1. 極限真空: 刻蝕室9.0×10-5 Pa (室內濕度≤55%) 進樣取樣室6.0×10-1 Pa。2. 刻蝕材料: 主要GaN、Sapphire材料，...
- 電漿刻蝕工藝及設備
1.2.3 模擬IC8 1.2.4 邏輯IC9 1.3 積體電路未來的挑戰9 參考文獻10 第2章 電漿基本原理11 2.1 電漿的基本概念11 2.1.1 電漿的定義11 2.1.2 電漿的參數空間12 2.1.3 等離子...
- 碳氟性電漿的放電機理和刻蝕過程的研究
結題摘要 本項目採用模擬與實驗相結合的方法研究了碳氟電漿源的放電特性、化學組分、負離子動力學、模式轉化機理、以及背景氣體輸運機制等，為認清楚和最佳化器壁成膜和刻蝕工藝提供參考依據。
- 感應耦合電漿刻蝕系統
感應耦合電漿刻蝕系統 感應耦合電漿刻蝕系統是一種用於物理學、信息與系統科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器，於2015年11月24日啟用。技術指標 均勻性優於5%。主要功能 化學氣相沉積SiO2和SiN。
- 一種電漿刻蝕工藝中的終點檢測的新概念和技術
《一種電漿刻蝕工藝中的終點檢測的新概念和技術》是依託清華大學，由蒲以康擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 等離子刻蝕被廣泛套用在半導體器件的生產工藝中，而刻蝕工藝過程中的終點檢測被認為是一項關鍵技術，本項目提出了一種新的...
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電感耦合電漿刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2014年6月24日啟用。技術指標 Model type: Plasmalab 100-ICP180; Frequency: 50Hz； Rated Voltage：415 VAC 3 Max Rated Input Current：42Amps interrupt ...
- 深電漿刻蝕技術
深電漿刻蝕，也稱大深寬比刻蝕(High Aspect Ratio Etching,HARE)，一般是選用Si作為刻蝕微結構的加工對象，它有別於VLSI 中的矽刻蝕，因此又稱為先進矽刻蝕(Advanced Silicon Etching,ASE) 工藝。它由於採用了感應棚合電漿(...
- 粉塵在電漿中沉降時的刻蝕動力學研究
《粉塵在電漿中沉降時的刻蝕動力學研究》是依託華中科技大學，由尹盛擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 研製新的刻蝕反應室，使粉粒能均勻拋撒和自動回流重新拋撒進入反應區、具有大的落程。用氣流反吹等進一步增加粉粒的懸浮時間...
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雙工藝腔體電漿刻蝕系統 雙工藝腔體電漿刻蝕系統是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器，於2013年1月15日啟用。技術指標 兩個工藝腔體,不均勻性4.64%。主要功能 刻蝕。
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電漿化學氣相沉積及刻蝕系統是一種用於工程與技術科學基礎學科、材料科學領域的工藝試驗儀器，於2016年9月23日啟用。技術指標 極限真空度4×10-4 Pa 沉積均勻性≦±5% 樣品台加熱溫度≦300℃ 樣品台尺寸Φ290mm 射頻電源：1200W和...
- 感應耦合電漿刻蝕設備
感應耦合電漿刻蝕設備 感應耦合電漿刻蝕設備是一種用於物理學、工程與技術科學基礎學科領域的工藝試驗儀器，於2013年12月1日啟用。技術指標 均勻性＜3％。主要功能 刻蝕。
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全自動型電感耦合電漿刻蝕機 全自動型電感耦合電漿刻蝕機是一種用於航空、航天科學技術領域的科學儀器，於2011年12月21日啟用。技術指標 低電容耦合線圈設計；電漿增強型PVD特種材料的塗層。主要功能 電漿刻蝕。
- 多頻CCP/ICP混合放電電漿源的若干關鍵物理問題的研究
（2）開展了多頻ICP/CCP混合放電及多頻CCP放電電漿化學過程及其在薄膜改性、沉積和刻蝕的套用研究。（3）初步開展了多頻CCP/ICP放電的計算機模擬。 項目的重要成果是：（1）發展了雙頻ICP/CCP混合放電電漿技術，研究了13.56MHz...
- 介質電漿刻蝕設備
介質電漿刻蝕設備是一種用於信息科學與系統科學、電子與通信技術領域的分析儀器，於2019年4月29日啟用。技術指標 儀器儀表，計量標準器具及量具，衡器。主要功能 使用基於物理轟擊和化學腐蝕相結合的手段，進行薄膜材料的刻蝕減薄，以及微...
- 王帥(東北大學理學院物理系講師)
2.國家自然科學基金面上項目：“電漿斷路開關的磁流體動力學數值模擬”（編號：10376003），22萬元，2004.01-2006.12。3.中微（上海）半導體設備製造有限公司研發項目：“電漿刻蝕機的計算機模擬”，24萬元，2005.5-2007.12。
- 吳漢明(中國工程院院士、微電子工藝技術專家)
吳漢明研發高密度電漿刻蝕，研究理論和實驗結果表明其電漿密度達到深亞微米刻蝕的要求，研究結果申報了國家發明專利，發表在國際專業期刊雜誌上並得到廣泛引用。研發了世界上第一套可以進行電漿工藝模擬的商業軟體並得到廣泛使用。20...
- 薄膜技術與薄膜材料(2011年清華大學出版社出版的圖書)
5.5.4 薄膜形成過程的計算機模擬145 5.6 非晶態薄膜148 5.7 薄膜的基本性質150 5.7.1 導電性150 5.7.2 電阻溫度係數（TCR）151 5.7.3 薄膜的密度151 5.7.4 經時變化152 5.7.5 電介質膜152 5.8 薄膜的粘附力和內...
