深電漿刻蝕,也稱大深寬比刻蝕(High Aspect Ratio Etching,HARE),一般是選用Si作為刻蝕微結構的加工對象,它有別於VLSI 中的矽刻蝕,因此又稱為先進矽刻蝕(Advanced Silicon Etching,ASE) 工藝。它由於採用了感應棚合電漿(Inductively CupledPlasma.ICP),所以與傳統的反應離子刻蝕(RIE)、電子迴旋共振(ECR)等刻蝕技術相比,具有更大的各向異性刻蝕速率比和更高的刻蝕速率,且系統結構簡單。由於矽材料本身較脆,需要將加工了的矽微結構作為模具,對塑膠進行模壓加工,再利用塑膠微結構進行微電鑄後,才能用得到的金屬模具進行微結構器件的批量生產。或者直接從矽片上進行微電鑄,獲得金屬微複製模具。
基本介紹
- 中文名:深電漿刻蝕
- 外文名:High Aspect Ratio Etching,HARE