各向異性刻蝕通常是指不同的結晶學平面呈現出不同的腐蝕速率的刻蝕方法。
各向異性刻蝕通常是指不同的結晶學平面呈現出不同的腐蝕速率的刻蝕方法。
各向異性刻蝕通常是指不同的結晶學平面呈現出不同的腐蝕速率的刻蝕方法。...... 各向異性刻蝕通常是指不同的結晶學平面呈現出不同的腐蝕速率的刻蝕方法。...
這種在液態環境中進行刻蝕的工藝稱為“濕法”工藝,其優點是操作簡便、對設備要求低、易於實現大批量生產,並且刻蝕的選擇性也好。但是,化學反應的各向異性較差,橫向...
反應離子腐蝕技術是一種各向異性很強、選擇性高的乾法腐蝕技術。它是在真空系統中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的,利用了離子誘導化學反應來實現各向異性刻蝕,即是...
刻蝕剖面指的是被刻蝕圖形的側壁形狀。有兩種基本的刻蝕剖面:各向同性和各向異性刻蝕剖面。各向同性的刻蝕剖面是在所有方向上(橫向和縱向)以相同的刻蝕速率進行刻蝕,...
Etching)和高密度電漿刻蝕(HDP)。這些工藝通過活性離子對襯底的物理轟擊和化學反應雙重作用刻蝕,同時兼有各向異性和選擇性好的優點。目前RIE已成為超大規模集成...
它由於採用了感應棚合電漿(Inductively CupledPlasma.ICP),所以與傳統的反應離子刻蝕(RIE)、電子迴旋共振(ECR)等刻蝕技術相比,具有更大的各向異性刻蝕速率比和...
離子銑,也稱為離子束刻蝕(IBE),是具有強方向性電漿的一種物理刻蝕機理。它能對小尺寸圖形產生各向異性刻蝕。...
刻蝕後溝槽的側壁必須光滑,與晶圓片平面之間的夾角不得大於85度。溝槽斜度大一些則更合乎要求。刻蝕溝槽的典型工藝是進行矽的各向異性刻蝕的同時澱積SiO2。這會在...
以室溫納米壓印和多參數刻蝕為主導,研究多尺度結構製備中的若干共性工藝難題,實現...2.2.2多尺度結構的各向異性刻蝕過程和機理2.2.3M面型光柵的製備質量保障...
此外,化學各向異性刻蝕技術等也可以用於微型零件的加工和製造,但是其套用的範圍有限。上述微型零件微細加工技術可以加工出尺寸非常小的零件,但在加工效率、製造成本等...
光學和電子學的發展都基於微細加工的兩個關鍵技 術:亞微米光刻和各向異性刻蝕技術。微電子學推動了二元光學學科的發展,而微電子工業的進步則得益於光刻水平的提高...
反應離子腐蝕技術是一種各向異性很強、選擇性高的乾法腐蝕技術。它是在真空系統中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的,利用了離子誘導化學反應來實現各向異性刻蝕,即是...
其中通過增加曝光劑量來提高電子束光刻膠的抗刻蝕性;採用顯影液對曝光後的電子束光刻膠顯影,形成電子束光刻膠圖形;以電子束光刻膠圖形為掩模,各向異性刻蝕硬掩...
主要介紹MEMS的概念、發展現狀與趨勢及力學相關知識;重點闡述MEMS實現工藝,主要有刻蝕(包括各向同性和各向異性刻蝕的原理、實現的方法、以及刻蝕自停止技術和乾法刻蝕)...
7.3.2抑制驅動型各向異性刻蝕344 7.3.3電漿刻蝕的選擇比345 7.4實例:矽、二氧化矽和氮化矽刻蝕346 7.5實例分析:高深寬比矽刻蝕工藝350 7.5.1低溫乾法刻蝕...