基本介紹
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內容簡介,圖書目錄,
內容簡介
圖書目錄
4.1.1 去除殘膠 66
4.1.2 去除殘留金屬 66
4.1.3 改善潤濕性 67
4.1.4 提高表面結合力 67
4.2 先進封裝中的電漿矽刻蝕 68
4.2.1 矽整面減薄工藝 68
4.2.2 矽通孔刻蝕工藝 69
4.2.3 電漿切割工藝 72
4.2.4 扇出型封裝中的矽刻蝕工藝 73
4.3 先進封裝中的聚合物刻蝕 74
4.4 先進封裝中翹曲片的電漿處理方法 75
參考文獻 76
第5章 電漿刻蝕機 78
5.1 電漿刻蝕機軟硬體結構 78
5.1.1 傳輸系統 78
5.1.2 真空控制系統 81
5.1.3 射頻系統 83
5.1.4 溫度控制系統 84
5.1.5 附屬設備 85
5.1.6 整機控制系統 85
5.2 關鍵結構的設計 86
5.2.1 反應腔 86
5.2.2 靜電卡盤 88
5.2.3 勻流板 90
5.3 電漿刻蝕機工藝參數簡介 90
5.4 電漿刻蝕機工藝結果評價指標 91
5.4.1 刻蝕形貌 91
5.4.2 刻蝕速率 96
5.4.3 刻蝕均勻性 96
5.4.4 選擇比 99
5.4.5 其他工藝結果評價指標 99
參考文獻 100
第6章 電漿測試和表征 102
6.1 電漿密度和能量診斷技術 102
6.1.1 靜電探針電漿診斷 102
6.1.2 離子能量分析儀電漿診斷 108
6.2 光學發射光譜終點檢測技術 112
6.2.1 終點檢測原理 112
6.2.2 終點檢測系統介紹 112
6.2.3 光學發射光譜檢測技術在電漿刻蝕中的套用 113
6.3 雷射干涉終點檢測技術 117
6.3.1 雷射干涉原理 117
6.3.2 IEP算法介紹 119
參考文獻 121
第7章 電漿仿真 123
7.1 刻蝕機涉及的物理場 123
7.1.1 電漿場 123
7.1.2 電磁場 131
7.1.3 流場 132
7.1.4 溫度場 133
7.1.5 化學反應 136
7.1.6 各物理場之間的耦合 137
7.2 多物理場仿真技術 139
7.2.1 多物理場仿真技術簡介 139
7.2.2 仿真分析基本流程 141
7.2.3 相關仿真案例 146
參考文獻 154
第8章 顆粒控制和量產 155
8.1 缺陷和顆粒介紹 155
8.2 缺陷和顆粒問題帶來的影響 156
8.3 缺陷和顆粒污染控制手段 157
8.3.1 刻蝕機傳輸模組的顆粒缺陷和顆粒控制 157
8.3.2 刻蝕機工藝模組的顆粒缺陷和顆粒控制 161
8.4 提高刻蝕量產穩定性的方法 162
參考文獻 164
