電漿刻蝕

是將曝光顯影在光刻膠上的圖形轉移到目標材料上，最終形成所需設計圖案的過程。

基本介紹

• 中文名：電漿刻蝕
• 外文名：Plasma Etching
• 領域：半導體製造

電漿刻蝕（Plasma Etching），是將曝光顯影在光刻膠上的圖形轉移到目標材料上，最終形成所需設計圖案的過程。等離子刻蝕是半導體製造領域常用的一種目標材料去除工藝，一般通過外加電磁場激發腔室內特定氣體生成含高能粒子的電漿。電漿中的高能粒子可以通過物理濺射或化學反應生成揮發性產物的方式去除材料表面的物質。電漿刻蝕通常是基於高能離子物理性刻蝕和基於自由基化學反應性刻蝕的綜合。相比於濕法刻蝕，電漿刻蝕具有更好的選擇性和方向性，經過鞘層的高能離子是產生方向性刻蝕的主要來源。隨著積體電路器件尺寸微縮與集成密度的提高，電漿刻蝕工藝也變得越來越重要。電漿刻蝕與光刻工藝共同形成了半導體領域的圖形化工藝模組，推動積體電路領域的工藝發展。衡量電漿刻蝕性能的參數一般包括刻蝕速率、刻蝕選擇比、刻蝕形貌以及特徵尺度及設備尺度的刻蝕均勻性。