等離子刻蝕速率是指等離子刻蝕過程去除晶片表面不需要材料的速度，刻蝕速率正比於蝕劑濃度，與晶片表面形狀等因素有關。
等離子刻蝕速率
什麼是刻蝕
刻蝕是採用化學或物理方法有選擇地從晶片表面去除不需要材料的過程。刻蝕目的：在塗膠的晶片表面上正確的複製掩膜圖形。
什麼是物理乾法刻蝕
目前刻蝕採用的物理方法是使用等離子刻蝕系統把晶片表面暴露於氣態中產生的電漿，電漿通過光刻膠中開出的視窗與晶片發生物理或化學反應（或兩種反應），從而去掉暴露的表面材料。
什麼等離子刻蝕速率
等離子刻蝕速率指等離子刻蝕過程去除晶片表面不需要材料的速度。等離子刻蝕速率通常用Å/min表示，刻蝕速率=Å/min。刻蝕速率正比於蝕劑濃度，與晶片表面形狀等因素有關。
等離子刻蝕電介質及金屬材料的刻蝕速率
模組化工藝處理系統即等離子刻蝕系統是為了滿足廣泛的研發及生產領域的等離子工藝處理要求而研發的多功能平台。
儘管每個用戶的刻蝕套用可能不一樣，不同等離子工藝套用的基本效果如下表所示。我們致力於協助客戶獲取最佳的等離子工藝性能。
儘管每個用戶的刻蝕套用可能不一樣，不同等離子工藝套用的基本效果如下表所示。我們致力於協助客戶獲取最佳的等離子工藝性能。
等離子刻蝕工藝
電介質-含氟化學
被蝕刻材料 | 基片 | 蝕刻速率 (Å/min) | 選擇性 | 均勻性 (±%) |
Thermal SiO2 二氧化矽 | Silicon | 450 | 10:1 | 3% |
PECVD SiO2 PECVD 二氧化矽 | Silicon | 450 | 10:1 | 5% |
4%PSG | Silicon | 550 | 12:1 | 5% |
PECVD SiN3 | Oxide | 450 | 4:1 | 5% |
LPCVD SiN3 | Oxide | 300 | 2:1 | 5% |
Isotropic | Silicon | 250 | 10:1 | 5% |
Single Xtal 單晶體 | n/a | 300 | (mask) 2:1 | 5% |
TiW | Oxide | 250 | 3:1 | 5% |
Molybdenum 鉬 | Oxide | 1000 | 15:1 | 8% |
Polyimide 聚醯亞胺 | Aluminum | 600 | >30:1 | 5% |
Photo-Resist 光刻膠 | Oxide | 1000 | >20:1 | 5% |
金屬-含氯化學
被蝕刻材料 | 基片 | 蝕刻速率 (Å/min) | 選擇性 | 均勻性 (±%) |
Pure Aluminum 純鋁 | Thermal Oxide | 800 | 12:1 | 4% |
Al/1-2%Si | Thermal Oxide | 600 | 8:1 | 5% |
Al/<2%Cu | Thermal Oxide | 500 | 6:1 | 5% |
Polysilicon | Thermal Oxide | 400 | 15:1 | 5% |
Single Xtal | n/a | 500 | (mask) 10:1 | 5% |
GaAs Via | n/a | 1μ/min | >10:1 | 5% |
註：蝕刻速率及選擇性可以最佳化，提供產出效率。
