反應離子刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年9月30日啟用。
基本介紹
- 中文名:反應離子刻蝕機
- 產地:德國
- 學科領域:信息科學與系統科學、材料科學
- 啟用日期:2016年9月30日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
反應離子刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年9月30日啟用。
反應離子刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年9月30日啟用。技術指標反應離子刻蝕機在射頻電源驅動下,在上下電極間形成電壓差、產生輝光放電,反應氣體分子被電離生成電漿;根據功率、...
反應離子刻蝕機採用三氟甲烷作為腐蝕氣體,通過外加射頻電壓將腐蝕氣體離化為電漿,電漿在外電場作用下轟擊固體材料表面,並通過與材料產生碰撞和化學反應的方式對材料進行刻蝕。由於電漿對材料表面的轟擊和化學反應速度可以通過...
反應離子深刻蝕機是一種用於物理學、信息科學與系統科學、材料科學、機械工程領域的儀器,產於英國,於2013年03月20日啟用。技術指標 刻蝕速率10m/min;光刻膠刻蝕選擇比100:1;SiO2刻蝕選擇比150:1;刻蝕均勻性±3%(100mm直徑),±...
等離子刻蝕機,又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、電漿刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕,是乾法刻蝕中最常見的一種形式,其原理是暴露在電子區域的氣體形成電漿,由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的...
台式反應離子刻蝕機是一種用於自然科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2014年11月01日啟用。技術指標 帶有8英寸底電極的Sirus T2反應裝置; 系統控制器(包括一套電腦系統和觸控螢幕界面); 四個氣體流量控制器; 與13.56 MHz 600...
深反應離子刻蝕機 深反應離子刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學、電子與通信技術領域的電子測量儀器,於2018年8月6日啟用。技術指標 PlasmaPro100 Estrelas。主要功能 淺刻蝕或者深刻蝕矽材料。
通常情況下,反應離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側面的接地禁止罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個反應室。對反應腔中的腐蝕氣體, 加上...
套用了基子和離子碰撞的平面式反應器也被使用。至於化學電漿刻蝕,這個作為協同電漿刻蝕系統的名字不總是合適的。與利用高壓(>100mTorr)操作的等離子刻蝕機(PE)相區別,經常把低壓的、不對稱的平面反應器叫做反應性離子刻蝕機(...
感應耦合電漿刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學領域的工藝試驗儀器,於2013年3月26日啟用。技術指標 刻蝕均勻性≤5%,金屬刻蝕對氧化物及矽選擇比≥3。主要功能 等離子刻蝕,是乾法刻蝕中最常見的一種形式,其原理是暴露在電子...
全自動型離子束刻蝕機 全自動型離子束刻蝕機是一種用於物理學領域的計量儀器,於2016年3月16日啟用。技術指標 MRIBE-150。主要功能 全自動型離子束刻蝕機。
一個限制離子束刻蝕機在半導體工藝中廣泛使用的主要問題是它的低選擇比(通常低於3:1)和低產能的刻蝕速率。離子銑有兩個重要的優點:定向性和普適性。刻蝕的定向性是由於離子束中的離子是通過一個強垂直電場來加速的,反應室中的壓力...
RF 源:600 W 13.56MHz 晶片尺寸:最大8英寸 氧化矽刻蝕:速率>40nm/min;對PR選擇比>3 氮化矽刻蝕:速率>100nm/min;對PR選擇比>3 PI刻蝕速率:速率>300nm/min;對SiNx選擇比>15。主要功能 反應離子刻蝕是當前套用很廣泛...
離子束刻蝕系統是一種用於物理學、工程與技術科學基礎學科、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2005年10月1日啟用。技術指標 離子刻蝕系統由離子源、真空系統、反應室、氣路系統、水冷系統五大部分組成1.離子源口徑:Ф150mm2.有效...
5.2.1 反應腔86 5.2.2 靜電卡盤88 5.2.3 勻流板90 5.3 等離子體刻蝕機工藝參數簡介90 5.4 電漿刻蝕機工藝結果評價指標91 5.4.1 刻蝕形貌91 5.4.2 刻蝕速率96 5.4.3 刻蝕均勻性96 5....
這些參量可以獨立控制,所以離子束刻蝕具有很大的工藝靈活性。反應離子束刻蝕機的原理和離子束刻蝕機相似,只是為了避免反應離子的化學腐蝕作用,離子源的結構經過一定的改進或者採用冷陰極離子源,在真空系統和機器材料的選用上也採取某些防...
刻蝕機 刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,產地為英國,於2012年5月14日啟用。技術指標 均勻性±5%。主要功能 三五簇材料的台面及溝槽刻蝕。
等離子清洗/刻蝕機產生電漿的裝置是在密封容器中設定兩個電極形成電場,用真空泵實現一定的真空度,隨著氣體愈來愈稀薄,分子間距及分子或離子的自由運動距離也愈來愈長,受電場作用,它們發生碰撞而形成電漿,這些離子的活性很高...
主要產品有:高密度等離子刻蝕機ICP、反應離子刻蝕機RIE、濺射台、PECVD、射頻電源、勻膠機。這些設備已長期用於微電子、光電子、微機械等領域的各加工廠、高等院校及研究所實驗室。本實驗室分為四個課題組,分別為:等離子新原理裝備課題...
中國科學院微電子研究所射頻電源課題組從1984年開始研發電子管射頻電源(13.56MHz),1985年研製成功,獲得“六五”攻關榮譽證書以及“FD-2反應離子刻蝕機與超精細刻蝕研究”項目二等獎。從2010年開始,在極大規模積體電路製造裝備與成套...
HARRICK等離子清洗機 微納圖形加工設備 Zeiss Auriga場發射電子束/聚焦離子束雙束系統 測試設備 KLA-Tencor P7 台階儀 薄膜II區 薄膜沉積設備 Oxford 電漿增強化學氣相沉積系統 刻蝕設備 Sentech ICP反應離子刻蝕機(用於金屬薄膜)NMC ...
刻蝕設備:反應離子刻蝕機(RIE);感應耦合電漿刻蝕系統(ICP);等離子去膠機(PS);生長設備:原子層沉積系統(ALD);熱蒸發(TE);電子束蒸發(EB);磁控濺射(MS);化學氣相沉積(CVD)薄膜生長系統;以及電漿增強化學氣相沉積...
皮秒和頻光譜儀、高性能的電噴霧-四級桿-飛行時間LC/MS/MS串聯質譜儀、組合式螢光壽命與穩態螢光光譜儀、電感耦合電漿質譜儀、紅外-熱失重聯用儀、電化學工作站、分析型高效液相色譜儀、磁控濺射鍍膜機、反應離子刻蝕機、微型量熱...
ASAP-1選擇區域拋磨分析機、ULTRA TECH酸開封機、ULTRAPOL advance 樣品製備拋光機、ARC-LITE樣品製備鍍膜機、ULTRATRIM樣品切割機、BSET EQ NT等離子清洗機(台式/立式)、FA2000反應離子刻蝕機、MSL環境可靠性測試設備、PF1800 剝離強度...
中國科學院微電子研究所射頻電源(RFGenerator)課題組(www.rf-power.net)從1984年開始研發電子管射頻電源(13.56MHz),1985年研製成功,獲得“六五”攻關榮譽證書以及“FD-2反應離子刻蝕機與超精細刻蝕研究”項目二等獎。從2010年開始受到...