台式反應離子刻蝕機是一種用於自然科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2014年11月01日啟用。
基本介紹
- 中文名:台式反應離子刻蝕機
- 產地:美國
- 學科領域:自然科學相關工程與技術
- 啟用日期:2014年11月01日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 電子產品通用工藝實驗設備
台式反應離子刻蝕機是一種用於自然科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2014年11月01日啟用。
台式反應離子刻蝕機是一種用於自然科學相關工程與技術領域的工藝試驗儀器,於2014年11月01日啟用。技術指標帶有8英寸底電極的Sirus T2反應裝置; 系統控制器(包括一套電腦系統和觸控螢幕界面); 四個氣體流量控制器;...
反應離子刻蝕機台是一種用於電子與通信技術、信息與系統科學相關工程與技術、航空、航天科學技術領域的工藝試驗儀器,於2017年09月21日啟用。技術指標 1. 高選擇性各向異性腐蝕,符合苛刻的製程要求; 2. 全自動一鍵操作完全代替手動操作...
等離子刻蝕機,又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、電漿刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕,是乾法刻蝕中最常見的一種形式,其原理是暴露在電子區域的氣體形成電漿,由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的...
反應離子蝕刻機是一種用於機械工程領域的工藝試驗儀器,於2015年10月1日啟用。技術指標 1.極限真空: 4.0×10-4 Pa2.刻蝕材料: Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、Au、Al、GaN、GaAs等3.真空室規格: φ300?100,4.電極尺寸: φ200...
反應離子深刻蝕機是一種用於物理學、信息科學與系統科學、材料科學、機械工程領域的儀器,產於英國,於2013年03月20日啟用。技術指標 刻蝕速率10m/min;光刻膠刻蝕選擇比100:1;SiO2刻蝕選擇比150:1;刻蝕均勻性±3%(100mm直徑),±...
圖1是反應離子刻蝕系統原理圖。通常情況下,反應離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側面的接地禁止罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個反應室。...
反應性離子刻蝕特點及設備 套用了基子和離子碰撞的平面式反應器也被使用。至於化學電漿刻蝕,這個作為協同電漿刻蝕系統的名字不總是合適的。與利用高壓(>100mTorr)操作的等離子刻蝕機(PE)相區別,經常把低壓的、不對稱的平面反應...
感應耦合反應離子刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年10月15日啟用。技術指標 4英寸內刻蝕不均勻性小於3.5%(3-sigma標準)。使用CHF3刻蝕Pyrex 7740玻璃時,刻蝕速率不低於100nm/min。對AZP光膠(120攝氏度hard ...
全自動離子束刻蝕機是一種用於物理學、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2014年7月1日啟用。技術指標 1. 刻蝕室真空度極限:≤9×10-5Pa 2. 刻蝕材料:各種金屬薄膜、硬質薄膜等 3. 刻蝕速率:≥100 - 2000À/min (與刻蝕...
電感耦合電漿反應離子刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2009年6月15日啟用。技術指標 蝕刻反應室抽氣速率:真空度5.0×10^-5Torr(15分鐘內);蝕刻反應室極限真空:8.0×10^-6Torr;裝載室抽氣速率:真空度5.0...
離子束刻蝕系統是一種用於物理學、工程與技術科學基礎學科、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2005年10月1日啟用。技術指標 離子刻蝕系統由離子源、真空系統、反應室、氣路系統、水冷系統五大部分組成1.離子源口徑:Ф150mm2.有效...
刻蝕機 刻蝕機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,產地為英國,於2012年5月14日啟用。技術指標 均勻性±5%。主要功能 三五簇材料的台面及溝槽刻蝕。
全自動型離子束刻蝕機 全自動型離子束刻蝕機是一種用於物理學領域的計量儀器,於2016年3月16日啟用。技術指標 MRIBE-150。主要功能 全自動型離子束刻蝕機。
一個限制離子束刻蝕機在半導體工藝中廣泛使用的主要問題是它的低選擇比(通常低於3:1)和低產能的刻蝕速率。離子銑有兩個重要的優點:定向性和普適性。刻蝕的定向性是由於離子束中的離子是通過一個強垂直電場來加速的,反應室中的壓力...
FILMETRICS透明/半透明膜膜厚測試儀、ASAP-1選擇區域拋磨分析機、ULTRA TECH酸開封機、ULTRAPOL advance 樣品製備拋光機、ARC-LITE樣品製備鍍膜機、ULTRATRIM樣品切割機、BSET EQ NT等離子清洗機(台式/立式)、FA2000反應離子刻蝕機、MSL...