離子束刻蝕系統是一種用於物理學、工程與技術科學基礎學科、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2005年10月1日啟用。
基本介紹
- 中文名：離子束刻蝕系統
- 產地：中國
- 學科領域：物理學、工程與技術科學基礎學科、電子與通信技術
- 啟用日期：2005年10月1日
- 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
離子刻蝕系統由離子源、真空系統、反應室、氣路系統、水冷系統五大部分組成1．離子源口徑：Ф150mm2．有效離子束直徑：Ф100mm3.離子束流密度：≥1mA/cm24.離子能量：150eV～1000eV5．真空系統：1500升/秒分子泵、11升/秒機械泵各1台。帶真空計。6．反應室尺寸：Ф325mm7．氣路系統：2路進氣（可作清洗）；2個質量流量計，2路顯示。8．可加工片子尺寸：Ф150mm以內。9．均勻性：±5%10.水溫控制範圍：5℃～25℃。
主要功能
可刻蝕SiO2、Si、SiN、Mo、MoSi、Ta、TaSi、HfO2、光刻膠和多種金屬等，即在玻璃或石英等基片上刻蝕衍射光學元件。離子束刻蝕是微細加工的一種重要手段。
