反應離子束刻蝕系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2015年12月25日啟用。
基本介紹
- 中文名:反應離子束刻蝕系統
- 產地:英國
- 學科領域:物理學
- 啟用日期:2015年12月25日
反應離子束刻蝕系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2015年12月25日啟用。
反應離子刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年06月17日啟用。技術指標 反應氣體:O2, Ar, CF4,CHF3,SF6 RF最大功率:300W;電極尺寸:240mm;刻蝕材料:矽基材料;最大晶片尺寸:4英寸。主要功能 主要...
反應離子束刻蝕系統 反應離子束刻蝕系統是一種用於物理學領域的科學儀器,於2015年12月25日啟用。技術指標 配備了6路帶質量流量計的工藝氣路: SF6, CF4,CHF3,O2,N2, Ar。主要功能 刻蝕二氧化矽、氮化矽介質膜。
圖1是反應離子刻蝕系統原理圖。通常情況下,反應離子刻蝕機的整個真空壁接地, 作為陽極, 陰極是功率電極, 陰極側面的接地禁止罩可防止功率電極受到濺射。要腐蝕的基片放在功率電極上。腐蝕氣體按照一定的工作壓力和搭配比例充滿整個反應室。...
我們想用離子束輔助基子刻蝕(IBARE)這個名字來代替反應性離子刻蝕。在IBARE中,獨立地控制溫度和離子流量是困難的。這就是報導關於氟基IBARE對矽加工中一致性較差的原因。不過,IBARE是現在最重要的等離子技術。IBARE系統中,普遍套用的...
等離子刻蝕機,又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、電漿刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統等。等離子刻蝕,是乾法刻蝕中最常見的一種形式,其原理是暴露在電子區域的氣體形成電漿,由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的...
深反應離子刻蝕機 深反應離子刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學、電子與通信技術領域的電子測量儀器,於2018年8月6日啟用。技術指標 PlasmaPro100 Estrelas。主要功能 淺刻蝕或者深刻蝕矽材料。
離子刻蝕沉積系統是一種用於材料科學領域的儀器,於2008年12月22日啟用。技術指標 背景真空: 10sup-7/supTorr;8路反應和刻蝕氣體;均有流量計精確控制;生長與刻蝕雙腔獨立;襯底工作溫度:700℃。主要功能 矽基半導體薄膜沉積與等離子...
但是離子刻蝕的選擇性差,因為刻蝕速率主要取決於被刻蝕材料的濺射率,所以對基片材料和對掩模材料的刻蝕速率一般相差不大,而且還存在再澱積等缺點。另一種是反應離子束刻蝕,即利用反應離子(如氯或氟離子)和固體表面材料的化學反應和...
《基於聚焦離子束刻蝕的三維表面等離子納米結構的研究》是依託東北大學,由司光遠擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 以聚焦離子束刻蝕系統為製備工具,研究通過使用簡單的橫向和縱向或±45°兩次刻蝕的方法得到三維表面電漿納米...
一個選用濕刻蝕配方的重要觀念是「選擇性」(selectivity),意指進行刻蝕時,對被蝕物去除速度與連帶對其他材質 (如刻蝕掩膜;etching mask, 或承載被加工薄膜之基板;substrate ) 的腐蝕速度之比值。一個具有高選擇性的刻蝕系統,應該只...
8.3 乾法刻蝕之一:反應離子刻蝕 8.3.1 反應離子刻蝕的原理 8.3.2 反應離子刻蝕的工藝參數 8.4 乾法刻蝕之二:反應離子深刻蝕 8.4.1 電感耦合電漿刻蝕系統 8.4.2 Bosch工藝 8.4.3 納米結構的深刻蝕 8.4.4 反應離子...