離子刻蝕沉積系統

離子刻蝕沉積系統是一種用於材料科學領域的儀器，於2008年12月22日啟用。

基本介紹

• 中文名：離子刻蝕沉積系統
• 產地：美國
• 學科領域：材料科學
• 啟用日期：2008年12月22日

技術指標

背景真空: 10sup-7/supTorr；8路反應和刻蝕氣體；均有流量計精確控制；生長與刻蝕雙腔獨立；襯底工作溫度：700℃。

主要功能

矽基半導體薄膜沉積與電漿刻蝕。