《反應離子刻蝕微觀不均勻性的跨尺度研究》是依託大連理工大學,由戴忠玲擔任醒目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：反應離子刻蝕微觀不均勻性的跨尺度研究
- 依託單位：大連理工大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：戴忠玲
項目摘要,結題摘要,
項目摘要
針對反應離子刻蝕工藝，建立由自洽的電漿放電混合模型、表面物理化學作用微觀模型與刻蝕剖面演化模型構成的跨尺度模型；全面考慮濺射、吸附、解吸附、粒子散射、沉積等表面物理和化學過程；提出電漿混合模擬方法、蒙特卡洛方法和元胞法相結合的計算方法，研發出準確性高、健壯性好的模擬程式，跨尺度地模擬反應離子刻蝕全過程。針對濺射過程，提出基於Sigmund線性碰撞級聯理論的濺射產額能量分量計算方法。提出基於Matching Cube方法的刻蝕剖面精確計算方法，提高元胞法刻蝕剖面定位精確度。研究外部參數和外電源參數與刻蝕過程中的物理化學作用、刻蝕剖面演化以及各種微觀不均勻刻蝕現象之間的定標關係，研究刻蝕槽深寬比以及絕緣材料表面充電效應對刻蝕剖面演化的影響規律，探索旁刻等微觀不均勻刻蝕產生的物理化學機制，探索微觀不均勻刻蝕的參數調控與抑制方法，為電漿刻蝕工藝的參數最佳化和控制提供理論依據。
結題摘要
電漿刻蝕技術是超大規模積體電路（ULSI）和微機電系統（MEMS）製造工序中最為關鍵的工藝流程。本項目針對反應離子刻蝕工藝，採用自洽的電漿放電混合模擬、MC方法和元胞法相結合的方法，全面考慮濺射、吸附、解吸附、粒子散射、中性粒子的再複合、離子增強化學反應、反應物和刻蝕產物的沉積等表面物理和化學過程；跨尺度地研究了刻蝕過程中的近表面區域電漿放電過程、材料表面物理化學作用過程和二維刻蝕剖面演化過程。探索了反應離子刻蝕的微觀機理，揭示了各種刻蝕微觀不均勻性的產生機制。為我國具有自主智慧財產權的下一代電漿微細加工技術的研發提供了必要的理論依據和技術支撐。
