基本介紹
- 中文名:反應性離子刻蝕
- 外文名:reaction ionetching
- 簡稱:RIE
- 套用:製作半導體積體電路
- 優點:較高的選擇比、可以接受的刻速率
反應性離子刻蝕 (reaction ionetching;RIE)是製作半導體積體電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的積體電路板上的保護膜時,利用反應性氣體的離子束,切斷保護膜物質的化學鍵,使之產生低分子物質,揮發或游離出...
反應離子腐蝕技術是一種各向異性很強、選擇性高的乾法腐蝕技術。它是在真空系統中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的,利用了離子誘導化學反應來實現各向異性刻蝕,即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進化學反應,同時...
反應離子刻蝕系統是一種用於物理學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2014年06月17日啟用。技術指標 反應氣體:O2, Ar, CF4,CHF3,SF6 RF最大功率:300W;電極尺寸:240mm;刻蝕材料:矽基材料;最大晶片尺寸:4英寸。主要功能 主要...
反應離子刻蝕機是一種用於信息科學與系統科學、材料科學領域的工藝試驗儀器,於2016年9月30日啟用。技術指標 反應離子刻蝕機在射頻電源驅動下,在上下電極間形成電壓差、產生輝光放電,反應氣體分子被電離生成電漿;根據功率、氣體、襯底...
反應離子式深矽刻蝕是一種用於電子與通信技術領域的分析儀器,於2018年12月22日啟用。技術指標 參數項 工藝指標 結果 刻蝕速率(μm/min) 200mm Si晶圓,Si暴露面 3 7.96um/min 選擇比(PR) 200mm Si 晶圓,Si暴露面 50:1...
等離子刻蝕,是乾法刻蝕中最常見的一種形式,其原理是暴露在電子區域的氣體形成電漿,由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體,從而形成了等離子或離子,電離氣體原子通過電場加速時,會釋放足夠的力量與表面驅逐力緊緊粘合材料或蝕刻...
《反應離子刻蝕微觀不均勻性的跨尺度研究》是依託大連理工大學,由戴忠玲擔任醒目負責人的面上項目。項目摘要 針對反應離子刻蝕工藝,建立由自洽的電漿放電混合模型、表面物理化學作用微觀模型與刻蝕剖面演化模型構成的跨尺度模型;全面考慮...
刻蝕是用化學或物理方法有選擇地從矽片表面去除不需要的材料的過程,其基本目標是在塗膠的矽片上正確地複製掩模圖形。隨著微製造工藝的發展,廣義上來講,刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統稱,成為微加工...
《包含多個處理平台的去耦合反應離子刻蝕室》的目的在於提供一種多基片處理室,其能夠單獨地或同時地加工處理兩片或更多片基片,它能確保高水平的工藝性能,同時還能夠保證在處理室的每個處理區域中的工藝性能都相互匹配。技術方案 《包含...
感應耦合反應離子刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2012年10月15日啟用。技術指標 4英寸內刻蝕不均勻性小於3.5%(3-sigma標準)。使用CHF3刻蝕Pyrex 7740玻璃時,刻蝕速率不低於100nm/min。對AZP光膠(120攝氏度hard ...
電感耦合電漿反應離子刻蝕機是一種用於材料科學領域的工藝試驗儀器,於2009年6月15日啟用。技術指標 蝕刻反應室抽氣速率:真空度5.0×10^-5Torr(15分鐘內);蝕刻反應室極限真空:8.0×10^-6Torr;裝載室抽氣速率:真空度5.0...
電漿誘導損傷是指反應離子刻蝕中總是有一部分離子在陰極電場加速下轟擊刻蝕表面。離子轟擊一方面形成濺射刻蝕作用,另一方面也會對刻蝕表面載流子分布以及晶格結構造成損傷。反應離子刻蝕中的離子能量在50~500eV。大多數離子在樣品表面的...
離子刻蝕 離子刻蝕是2011年公布的材料科學技術名詞。定義 利用離子轟擊作用,對材料表面進行刻蝕的過程。出處 《材料科學技術名詞》。
暴露在電子區域的氣體形成等離子體,由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體,從而形成了等離子或離子,電離氣體原子通過電場加速時,會釋放足夠的力量與表面驅逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來講,等離子清洗實質上是電漿刻...
離子束刻蝕系統是一種用於物理學、工程與技術科學基礎學科、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2005年10月1日啟用。技術指標 離子刻蝕系統由離子源、真空系統、反應室、氣路系統、水冷系統五大部分組成1.離子源口徑:Ф150mm2.有效...
RF 源:600 W 13.56MHz 晶片尺寸:最大8英寸 氧化矽刻蝕:速率>40nm/min;對PR選擇比>3 氮化矽刻蝕:速率>100nm/min;對PR選擇比>3 PI刻蝕速率:速率>300nm/min;對SiNx選擇比>15。主要功能 反應離子刻蝕是當前套用很廣泛...
它由於採用了感應棚合電漿(Inductively CupledPlasma.ICP),所以與傳統的反應離子刻蝕(RIE)、電子迴旋共振(ECR)等刻蝕技術相比,具有更大的各向異性刻蝕速率比和更高的刻蝕速率,且系統結構簡單。由於矽材料本身較脆,需要將加工了的矽...
離子刻蝕機 離子刻蝕機是一種用於物理學領域的分析儀器,於1999年12月01日啟用。技術指標 極限真空小於10e-4pa,刻蝕砷化鎵速率0.6um/min。主要功能 刻蝕砷化鎵、金。
一個限制離子束刻蝕機在半導體工藝中廣泛使用的主要問題是它的低選擇比(通常低於3:1)和低產能的刻蝕速率。離子銑有兩個重要的優點:定向性和普適性。刻蝕的定向性是由於離子束中的離子是通過一個強垂直電場來加速的,反應室中的壓力...
真空度1E-6mbar;最大樣品尺寸:500mm*1500mm;離子束刻蝕深度10nm-2000nm;刻蝕深度均勻性優於5%。主要功能 用於對融石英、半導體、金屬、光刻膠等材料的離子束刻蝕;設備使用氬氣及氟基氣體進行離子束與反應離子束刻蝕;光柵及其它微...
乾法刻蝕 70年代末研究出一系列所謂乾法刻蝕工藝。乾法刻蝕有離子銑刻蝕、等離子刻蝕和反應離子刻蝕三種主要方法。① 離子銑刻蝕:低氣壓下惰性氣體輝光放電所產生的離子加速後入射到薄膜表面,裸露的薄膜被濺射而除去。由於刻蝕是純物理作用...
研究反應性電漿刻蝕工藝過程中電漿鞘層對微結構刻蝕圖形剖面的影響,模擬磁化射頻電漿鞘層中帶電粒子的能量分布及角度分布、電場分布;模擬微結構的充電過程和反應性離子與槽孔表面的碰撞過程,研究旁刻現象的產生,計算表面的刻蝕...
其中電漿必須在真空度約10至0.001 Torr 的環境下,才有可能被激發出來;而乾刻蝕採用的氣體,或轟擊質量頗巨,或化學活性極高,均能達成刻蝕的目的。乾刻蝕基本上包括「離子轟擊」(ion-bombardment)與「化學反應」(chemical reaction...
DRIE,全稱是Deep Reactive Ion Etching,中文是深反應離子刻蝕,是一種主要用於微機電系統的乾法腐蝕工藝。簡介 DRIE,全稱是Deep Reactive Ion Etching,深反應離子刻蝕,一種微電子乾法腐蝕工藝。基於氟基氣體的高深寬比矽刻蝕技術。與...
塑膠表面濺射蝕刻處理改性是在陰陽兩極之間施加高頻電壓(數乾伏),使之在真空條件下陰陽兩極之間產生輝光放電,結果兩極間的惰性氣體或可反應性氣體發生電離,從而形成陽離子;這種陽離子受陰極吸引具有很大的動能,並快速沖向陰極,猛烈...
截至2008年納米加工有了很大的突破,如電子束光刻(UGA技術)加工超大規模積體電路時,可實現0.1μm線寬的加工;離子刻蝕可實現微米級和納米級表層材料的去除;掃描隧道顯微技術可實現單個原子的去除、扭遷、增添和原子的重組。粒子製備 ...
反應離子深度刻蝕矽的水平可以達到在表面1%暴露刻蝕面積的情況下,刻蝕速率可以達到50μm/min,在表面20%暴露刻蝕面積的情況下,刻蝕速率可以達到30μm/min,矽與光刻膠的抗刻蝕比大於300:1,刻蝕的深寬比大於100:1。在Bosch工藝中...