ICP(反應耦合電漿)

ICP（Inductively Coupled Plasma）刻蝕，即感應耦合電漿刻蝕。

是一種非常重要的半導體乾法刻蝕技術。

暴露在電子區域的氣體形成電漿，由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場加速時，會釋放足夠的力量與表面驅逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來講，等離子清洗實質上是電漿刻蝕的一種較輕微的情況。進行乾式蝕刻工藝的設備包括反應室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應室。氣體被導入並與電漿進行交換。電漿在工件表面發生反應，反應的揮發性副產物被真空泵抽走。電漿刻蝕工藝實際上便是一種反應性等離子工藝。近期的發展是在反應室的內部安裝成擱架形式，這種設計的是富有彈性的，用戶可以移去架子來配置合適的電漿的蝕刻方法：反應性電漿（RIE），順流電漿（downstream），直接電漿（direction plasma）。