反應離子式深矽刻蝕是一種用於電子與通信技術領域的分析儀器，於2018年12月22日啟用。
基本介紹
- 中文名：反應離子式深矽刻蝕
- 產地：中國
- 學科領域：電子與通信技術
- 啟用日期：2018年12月22日
- 所屬類別：分析儀器 > 色譜儀器
技術指標,主要功能,
技術指標
參數項 工藝指標 結果 刻蝕速率（μm/min） 200mm Si晶圓，Si暴露面 3 7.96um/min 選擇比（PR） 200mm Si 晶圓，Si暴露面 50：1 ~64:1 選擇比（SiO2） 200mm Si 晶圓，Si暴露面 100：1 ~200:1 刻蝕深寬比 200mmSi 晶圓，Si暴露面 50：1 ~53:1 側壁角度 （profile） 200mmSi 晶圓，Si暴露面 90°± 1° 89.2° 片內均勻性 （within wafer） 200mmSi 晶圓，Si暴露面 100nm ~89nm。
主要功能
1. 中心/邊沿獨立MFC及獨立射頻結構，針對各種MEMS工藝實現均勻性可調。 2. 採用大抽速分子泵，工藝視窗更寬。 3. 採用快速MFC進氣，保證工藝形貌滿足要求。 4. 封裝工藝配置高性能靜電卡盤，實現SOG晶圓的穩定吸附。 5. MEMS設備配置獨特工藝製程，能夠實現高達50:1的深寬比刻蝕，同時確保高刻蝕速率及低粗糙度形貌控制。 6. 針對SOI Wafer，採用低頻脈衝偏壓設計，確保SOI晶圓的無底切效應。 7． 軟體具有安全方便的許可權管理，人性化的操作界面和完善的日誌記錄功能，支持工廠自動化（FA）。
