微納尺度製造工程（第三版）

內容簡介

本書是《微電子製造科學原理與工程技術》的第三版。本書系統地介紹了微電子製造科學原理與工程技術，覆蓋了積體電路製造所涉及的所有基本單項工藝，包括光刻、電漿和反應離子刻蝕、離子注入、擴散、氧化、蒸發、氣相外延生長、濺射和化學氣相澱積等。對每一種單項工藝，不僅介紹了它的物理和化學原理，還描述了用於積體電路製造的工藝設備。本書新增加的內容包括原子層澱積、電鍍銅、浸潤式光刻、納米壓印與軟光刻、薄膜器件、有機發光二極體以及應變技術在CMOS工藝中的套用等。

讀者對象：本書可作為高等學校微電子專業本科生和研究生相應課程的教科書或參考書，也可供與積體電路製造工藝技術有關的專業技術人員學習參考。

圖書目錄

第1篇綜述與題材

第1章微電子製造引論

1.1微電子工藝：一個簡單的實例

1.2單項工藝與工藝技術

1.3本課程教程

1.4小結

第2章半導體襯底

2.1相圖與固溶度°

2.2結晶學與晶體結構°

2.3晶體缺陷

2.4直拉法（Czochralski法）單晶生長

2.5 Bridgman法生長GaAs

2.6區熔法單晶生長

2.7晶圓片製備和規格

2.8小結與未來發展趨勢

習題

參考文獻

第2篇單項工藝1：熱處理與離子注入

第3章擴散

3.1一維費克擴散方程

3.2擴散的原子模型

3.3費克定律的分析解

3.4常見雜質的擴散係數

3.5擴散分布的分析

3.6SiO2中的擴散

3.7擴散分布的數值模擬

3.8小結

習題

參考文獻

第4章熱氧化

4.1迪爾-格羅夫氧化模型

4.2線性和拋物線速率係數

4.3初始階段的氧化

4.4SiO2的結構

4.5氧化層的特性

4.6摻雜雜質對氧化和多晶氧化過程的影響

4.7矽的氮氧化物

4.8其他可選的柵絕緣層+

4.9氧化系統

4.10氧化過程的數值模擬+

4.11小結

習題

參考文獻

第5章離子注入

5.1理想化的離子注入系統

5.2庫侖散射°

5.3垂直投影射程

5.4溝道效應和橫向投影射程

5.5注入損傷

微納尺度製造工程（第三版）

基本介紹

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