X射線光刻膠（X-ray resist）是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名：X射線光刻膠
- 外文名：X-ray resist
- 所屬學科：電子學
- 公布時間：1993年
公布時間,出處,
公布時間
1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。
出處
《電子學名詞》第一版。
X射線光刻膠
相關詞條
- X射線光刻膠
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- 光刻技術
隨著半導體技術的發展，光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個數量級（從毫米級到亞微米級），已從常規光學技術發展到套用電子束、 X射線、微離子束、雷射等新技術；使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃數量級範圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。簡述 光刻技術是指在光照作用下，藉助光致抗蝕劑（又名光...
- 軟X射線
軟X射線投影光刻系統的光刻膠應具有小於0.1 μm的分辨本領及20mJ /cm²感光度，大於0. 5μm 抗刻蝕能力和 85 °的側壁傾角。傳統的光刻膠PMMA 具極高的分辨本領，但感光度極低，通常為 60mJ/cm²。近年採用的具有化學增強作用的光刻膠，如美國 Sharplan Lasers 公司的SAL-601，在解析度和感光度上都...
- 光刻膠模型
光刻工藝過程可以用光學和化學模型，藉助數學公式來描述。光照射在掩模上發生衍射，衍射級被投影透鏡收集並會聚在光刻膠表面，這一成像過程是一個光學過程；投影在光刻膠上的圖像激發光化學反應，烘烤後導致光刻膠局部可溶於顯影液，這是化學過程，描述這一物理化學過程的模型即為光刻膠模型。模型介紹 光刻膠中的...
- 負性光刻膠
化學鍵合在受到這種激勵時，或者分離或者改變鍵合對象，發生化學變化。電子束、X射線及離子束(即被加速的粒子)注入物質後，因與物質具有的電子相互作用，能量逐漸消失。電子束失去的能量轉移到物質的電子中，因此生成激勵狀態的電子或二次電子或離子。這些電子或離子均可誘發光刻膠的化學反應。
- 光刻膠顯影
用化學顯影液溶解由曝光造成的光刻膠的可溶解區域稱為光刻膠顯影。光刻膠顯影的主要目的是把掩模版圖形準確複製到光刻膠中。顯影的要求重點是產生的關鍵尺寸達到規格要求，如果CD達到了規格要求，那么所有的特徵都認為是可以接受的，因為CD是光刻膠顯影中最困難的結構。如果不正確地控制顯影工藝，光刻膠圖形就會出現...
- 用於X射線波段電漿診斷的新型自支撐透射光柵
《用於X射線波段電漿診斷的新型自支撐透射光柵》是依託中國科學技術大學，由邱克強擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 作為X射線波段一種重要色散元件，自支撐金透射光柵已被廣泛套用雷射慣性約束聚變電漿診斷、X射線雷射實驗診斷和天文物理等領域中能譜分辨。傳統工藝製作的振幅型金透射光柵的理論衍射效率...
- 全息-濕法刻蝕200nm周期X射線矽透射光柵
《全息-濕法刻蝕200nm周期X射線矽透射光柵》是依託中國科學技術大學，由邱克強擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 慣性約束聚變電漿診斷與天文物理等領域需要高線密度，高高寬比透射光柵實現高能X射線光譜測量。先光刻產生光刻膠掩模圖形，再在掩模光柵槽中電鍍沉積黃金是目前X射線透射光柵製備的主要方法，金光柵線條...
- 極紫外光刻(一種納米級光刻技術)
（1）開發功率足夠高的光源並使系統具有足夠的透射率，以實現並保持高吞吐量。（2）掩模技術的成熟，包括以足夠的平面度和良率製造反射掩模襯底，反射掩模的光化學檢測，以及因缺少掩模表面的保護膜而難以滿足無缺陷操作要求。（3）開發高靈敏度且具有低線邊緣粗糙度(LineEdgeRoughness,LER)的光刻膠。
- 陳大鵬(中國科學院微電子研究所研究員)
從碩士研究生開始即從事新型X射線光刻膠及下一代光刻技術工藝的研究，碩士論文題目為《新型X射線光刻膠的研製》，博士論文題目為《利用同步輻射的微細加工技術》，在同步輻射（X射線）光刻及微細加工領域作過多年套用技術研究，作為主要骨幹參加多項重大國家科技攻關項目。職務任免 2020年7月31日，中共中國科學院...
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《同步輻射三維超微細加工技術(LIGA)基礎研究》是依託中國科學技術大學，由田揚超擔任項目負責人的青年科學基金項目。中文摘要 進行了X射線掩模、深度同步輻射光刻和微電鑄的基礎研究。建立了一套製作LIGA技術掩模的新方法，成功地製作了多 LIGA技術掩模和亞微米光刻掩模。建立了一套製作原膠的工藝，解決了光刻膠開裂，...
- 微納尺度製造工程(第三版)
第9章非光學光刻技術+ 9.1高能射線與物質之間的相互作用° 9.2直寫電子束光刻系統 9.3直寫電子束光刻：總結與展望 9.4X射線源° 9.5接近式X射線系統 9.6薄膜型掩模版 9.7投影式X射線光刻 9.8投影電子束光刻(SCALPEL)9.9電子束和X射線光刻膠 9.10MOS器件中的輻射損傷 9.11軟光刻與納米壓印光刻 9...
- 擺動曲線
擺動曲線是由光刻膠頂部反射的光線與穿過光刻膠的光線之間的干涉引起的，光通過光刻膠，然後從襯底反彈，最後從光刻膠頂部射出。光線通過光刻膠所經過的路徑長度決定了其相位，從而確定干涉是建設性的還是破壞性的。光刻膠厚度的變化導致實際進入光刻膠的能量的正弦變化。但是，隨著光線照射到光刻膠的角度發生變化，...
- 微電子製造科學原理與工程技術(第四版)
9.4 X射線與EUV光源°219 9.5 接近式X射線系統221 9.6 接近式X射線光刻的薄膜型掩模版223 9.7 EUV光刻225 9.8 投影式電子束光刻(SCALPEL)226 9.9 電子束與X射線光刻膠228 9.10 MOS器件中的輻射損傷230 9.11 軟光刻與納米壓印光刻232 9.12 小結235 習題235 參考文獻236 ...
- 顯影速率
其中，為完全曝光的最大顯影速率，為完全不曝光的最小顯影速率，n為溶解選擇性（與膠的反差成正比），m為相對濃度，a為簡化常數，可以表示為：（2）其中， 稱為m的閾值。對於負性抗蝕劑來說，方程（1）和（2）中的1-m用m來表示。要確定方程( 1) 中的參數 ,步驟如下：（1）需要先根據預先測定的膠的...
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