基本介紹
- 中文名:光刻膠顯影
- 外文名:resist develop
用化學顯影液溶解由曝光造成的光刻膠的可溶解區域稱為光刻膠顯影。光刻膠顯影的主要目的是把掩模版圖形準確複製到光刻膠中。顯影的要求重點是產生的關鍵尺寸達到規格要求,如果CD達到了規格要求,那么所有的特徵都認為是可以接受的,因...
顯影是在正性光刻膠的曝光區和負性光刻膠的非曝光區的光刻膠在顯影液中溶解,在光刻膠上形成三維圖形的一種光刻技術。技術簡介 顯影是在矽片表面光刻膠中產生圖形的關鍵步驟。光刻膠上的可溶解區域被化學顯影劑溶解,將可見的島或者視窗圖形留在矽片表面。最常見的顯影方法是旋轉、噴霧、浸潤,然後顯影。矽片用...
負顯影,用於193nm光刻的多數光刻膠,為正性膠。然而,隨著半導體工藝節點的不斷縮小,使用傳統的正膠以鹼性水溶液顯影液來印刷小特徵例如小尺寸的溝槽和通孔已經變得更具挑戰性,因為用來產生溝槽和通孔的暗場掩模的光學圖像對比度差。為此,業界提出了負顯影(negative tone develop, NTD)的概念,即使用正膠曝光,...
顯影工藝是指用顯影液去除晶圓上部分光刻膠,形成三維的物理圖形。將顯影液塗覆在曝光後的晶圓表面上,正膠的曝光區域和負膠的非曝光區域溶於顯影液中,進一步將反應聚合物和顯影液殘留沖洗後,就可以顯現出光刻膠中的圖形,如圖1所示。儘管對193i負膠的研發已經傾注了很大的努力,但是其性能仍然與正膠有比較大的...
雙重顯影技術是為簡化多重光刻工藝步驟而提出的,如圖1所示。曝光光強從空隙中心的最大值逐漸過渡到線條中心的最小值。在負性顯影液中,具有較小劑量的區域被顯影;而在標準水溶顯影液(TMAH)中,較大劑量的區域被顯影。因此,掩模上的一條線條在光刻膠上產生了雙線條。在雙重顯影技術中,正性和負性的工藝的顯影...
正型光刻膠顯影劑 正型光刻膠顯影劑主要成分為氫氧化鈉與有機胺。正型光刻膠顯影劑 主要成分為氫氧化鈉與有機胺。為無色透明的鹼性水溶液。用作正型光刻膠的顯影劑。
顯影模型的準確度與光刻膠的種類有關。常見有顯影模型為Mack模型。具體分為三步:第一步,顯影液中的有效成分(TMAH分子)擴散到光刻膠所在的位置;第二步,TMAH分子與光刻膠發生化學反應;第三步,反應的生成物溶解於顯影液中,並在顯影液中擴散。發展方向 (1) 建立更準確的針對化學放大膠的模型 (2) ...
光刻是平面型電晶體和積體電路生產中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化矽)進行開孔,以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。光刻流程 一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。矽片清洗烘乾 方法:濕法清洗+去離子水沖洗+...
光刻(英語:photolithography)工藝是半導體器件製造工藝中的一個重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構,然後通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所在襯底上。這裡所說的襯底不僅包含矽晶圓,還可以是其他金屬層、介質層,例如玻璃、SOS中的藍寶石。基本信息 下面以襯底上金屬連線的刻蝕為例講解...
光刻技術是指在光照作用下,藉助光致抗蝕劑(又名光刻膠)將掩膜版上的圖形轉移到基片上的技術。其主要過程為:首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面,引起曝光區域的光刻膠發生化學反應;再通過顯影技術溶解去除曝光區域或未曝光區域的光刻膠(前者稱正性光刻膠,後者稱負性光刻膠),使...
它被廣泛用於光刻工藝中的顯影。不管是I-線、248nm、193nm、193nm浸沒式或是EUV,都是使用TMAH水溶液做顯影液。有時為了避免光刻膠線條的倒塌,還可以在TMAH水溶液中添加很少量的表面活化劑。一般來說,一個Fab生產線只使用一種顯影液,顯影液通過管道輸送到每一個勻膠顯影設備,又叫做廠務集中供應(bulk delivery...
積體電路製造工藝光刻模組中,一種抗蝕劑曝光後可以同時進行正性顯影和負性顯影的技術。定義 所謂雙性顯影,是在旋塗完光刻膠並完成曝光後,可以同時進行正性顯影和負性顯影的技術。原理 在光致抗蝕劑進行正常的曝光工藝後,對潛影的基片進行兩個顯影步驟。在鹼性水溶性的正性顯影(positive-tone development)工序中...
鄰益氮縈醒光刻膠dixu}naphthnyuinone phntnresist常月J的正性光刻咬。其主要成分有鄰餐氮蔡釀系化合物、鹼溶性高分子類成膜劑(多採用線性酚醛樹脂)、溶劑及其他添加通常用弱鹼水溶液作為顯影液。曝光過程中,見光部分發生光化學反應,由鹼不溶變成鹼可溶,將溶於鹼的見光部分洗去,留下鹼不溶的未見光的部分...
由於使用自對準雙重成像技術(self-aligned double patterning,SADP)或其他雙重圖案化技術,原始單個掩模層必須分成2個掩模層:單元版圖和外圍版圖,掩模版的透射率(TR)隨之增加增加。對於高透射率掩模,使用正顯影工藝後將產生更多的顯影后反應產物,顯影后殘留缺陷更易黏在晶圓上。顯影缺陷分為:光刻膠殘留缺陷和...
在紫外曝光後,DNQ 在光刻膠中化學分解,成為溶解度增強劑,大幅提高顯影液中的溶解度因子至100 或者更高。這種曝光反應會在DNQ 中產生羧酸,它在顯影液中溶解度很高。正性光刻膠具有很好的對比度,所以生成的圖形具有良好的解析度。光刻膠 光刻膠的組成:樹脂( resin,polymer),光膠中不同材料的黏合劑,給予...
(2)感光材料。感光材料一般為複合性物質(簡稱PAC或感光劑)。感光劑在受光輻照之後會發生化學反應。正膠的感光劑在未曝光區域起抑制溶解的作用,可以減慢光刻膠在顯影液中的溶解速度。以正性膠為例,使用g射線和i射線光刻中的正性膠是由重氮醌(簡稱為DQ)感光劑和酚樹脂構成。(3)溶劑(如丙二醇-甲基乙醚,PGME)...
圖1是採用後一種方法,使用 AFM測量顯影後的膠遺留厚度,得出顯影速率r與膠深度z的關係r(z)。通過預先測定的PMMA的光學參數得出相對濃度m與深度z的關係m(z)。那么,r與m的對應關係r(m)就可根據深度的對應關係得出。圖1為按照上述方法得到的PMMA的r(m)曲線。其中,電子束入射能量為20 keV,PMMA厚度為500nm,...
可支持襯底尺寸:2”、 4”、6”晶圓,20mm、40mm、50mm等方形基片;勻膠模組:每個Cup至少配置3條光刻膠管路,具備背洗功能,具備邊緣清洗功能;顯影模組:每個Cup至少配置3條顯影液管路,具備獨立清洗管路;熱板模組:4個可獨立進行控溫的熱板,熱板最高溫度200oC,熱板溫度均勻性優於正負...
在曝光區域,光致酸產生劑在光子的作用下產生酸;環氧分子在酸的作用下聚合形成聚合物。然後環氧分子與酚醛反應,形成交聯,圖1(b)是這一聚合反應的方程式。注意酚醛可以和帶有正電荷的環氧分子發生反應,反應方程(b)只是一個例子。交聯後,光刻膠不溶於顯影液,所以光刻膠表現為負膠。
光刻模型包含光學模型和光刻膠模型,其中光刻膠模型描述了光刻膠曝光顯影過程中發生的物理化學反應。光刻膠模型可以為光刻膠的研發和光刻工藝的最佳化提供指導。然而,由於模型中許多參數不可直接測量或測量較為困難,通常採用實際曝光結果來校準模型,即光刻膠模型的校準。鑒於模型校準的必要性,業界通常需要花費大量精力...
經適當的溶劑處理,溶去可溶性部分,得到所需圖像(見圖光致抗蝕劑成像製版過程)。光刻膠廣泛用於印刷電路和積體電路的製造以及印刷製版等過程。光刻膠的技術複雜,品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理,可分負性膠和正性膠兩類。光照後形成不可溶物質的是負性膠;反之,對某些溶劑是不可溶的,經光照後變成...
光刻材料是指光刻工藝中用到的增粘材料、抗反射塗層、光刻膠、化學溶劑和顯影液,還包括193nm浸沒式光刻中用到的抗水塗層。光刻材料都被安裝在勻膠顯影機上,根據工藝流程的安排,旋塗或噴淋在晶圓上。光刻材料中,最主要的是光刻膠,它是一種光敏感的聚合物。在一定波長的光照下,光子激發材料中的光化學反應,...
但是,雙重曝光也有缺點,如果兩次曝光成像的空間對比度較低或者散射光(flare)非常強,那么對於不需要曝光的區域而言,其接受到的總光強將可能高於光阻的脫保護閾值E₀,導致所有光刻膠被顯影掉,如圖1(a)所示。因此,曝光系統需要提供較高的空間圖像對比度,如圖1(b)所示。另外,光刻膠對曝光能量的反應必須是高度...
該酸在曝光後熱烘(post exposurebaking,PEB)時,作為化學催化劑將樹脂上的保護基團移走,從而使曝光區域的光刻膠由原來不溶於水轉變為高度溶於以水為主要成分的顯影液。化學放大光刻膠曝光速度非常快,大約是DNQ線性酚醛樹脂光刻膠的10 倍;對短波長光源具有很好的光學敏感性;提供陡直側牆,具有高的對比度; ...
由於感光速度快,可用於投影曝光和分步重複曝光。在相對濕度50%的環境,護對氧化矽、多晶矽以及鋁、銅、金、鉑等均有很好的茹附性和抗蝕性:其顯影和曝光操作寬容度狡、易於剝離,且耐熱性好、可以耐140℃的烘烤,圖形不變形。本品適用於大規模積體電路和電子元器件及光學機械加工工藝的製作。
淡黃色液體。在紫外光照射下發生聚合反應,不見光的部分不聚合。曝光顯影後圖形清晰、質量穩定。對二氧化矽、鋁氧化鉻等材料都有良好的附著力。耐氫氟酸、磷酸腐蝕。為負性光刻膠(即曝光後發生聚合或交聯反應,生成不可溶物質)。產品標準 外觀 淡黃色液體 針孔密度 固體含量 9%~10% (膜厚0.4~0.6...
光刻膠 光刻膠是聚合物和一些化合物的混合物,在化合物中最重要的是一種光致酸產生劑(Photo Acid Generator, PAG)。當光子打到PAG上,會產生一種酸,這種酸會與聚合物發生反應,將聚合物分解,這樣聚合物就會被顯影液(developer)溶解。光刻膠通常分為兩種,正膠和負膠。正性光刻膠(正膠,positive ...
沖洗晶圓表面的去離子水具有一定的表面張力。在乾燥過程中,水的表面張力會施加在光刻膠線條上,可能導致倒線。在沖洗顯影液時,去離子水的沖洗速度或晶圓旋轉速度過大時,也會造成倒線,如圖1所示。這裡使用一個簡化的模型來分析,如圖2所示,有兩個光刻膠線條,它們之間填充了水,由於水表面張力的存在,施加在光...
光刻膠具有光化學、抗蝕、一定的機械及耐熱特性,使用範圍已愈來愈廣,除在電子工業使用外,還能用於印611工業仁,凸版的刻蝕、電鍍1業中的保護層、精密儀器力f.中的光柵、應力片、鐘錶加工等。一般光l膠由成膜材料、光敏材料、溶劑及添加劑等組成,光刻膠可按顯影後在光刻膠塗膜上所形成的圖形與掩模圖形關係...
Residue)。光刻膠殘留缺陷和顯影後反應物殘留缺陷會影響刻蝕工藝後的圖形,造成產品良率降低。如圖1所示,顯示了殘留型缺陷的SEM圖象。顯影后反應物殘留缺陷通常是由於顯影過程中去離子水流量不足造成的,顯影過程中的反應物沒有被去離子水沖洗乾淨。因此,在顯影工藝中最佳化去離子水沖洗工藝製程尤其重要。