基本介紹
- 中文名:光刻材料
- 外文名:materials of lithography
光刻材料是指光刻工藝中用到的增粘材料、抗反射塗層、光刻膠、化學溶劑和顯影液,還包括193nm浸沒式光刻中用到的抗水塗層。...
光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一,特別是近年來大規模和超大規模積體電路的發展,更是大大促進了光刻膠的研究開發和套用。印刷工業是光刻膠套用的...
光刻是平面型電晶體和積體電路生產中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化矽)進行開孔,以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。...
三層光刻材料即所謂的tri-layer,是特指光刻膠(resist)、含Si的抗反射塗層(SiARC)和旋塗的有機碳。...
傳統光刻技術光刻膠與曝光鏡頭之間的介質是空氣,而浸沒 式技術則是將空氣 換成液體介質。實際上,由於液體介質的折射率相比空氣介質更接近曝光透鏡鏡片材料的折射率...
光刻(英語:photolithography)工藝是半導體器件製造工藝中的一個重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構,然後通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到...
光刻掩模是光的一種掩蔽模片,其作用有類似於照相的通過它,可以使它“底下“的光劑部分成光,難溶於有機藥品,一部分不感光,易溶於有機藥品,以而製得選擇擴散...
放氣是指光刻膠在加熱。光照、原子轟擊等條件下放出氣體的現象。光刻膠的放氣現象通常會對工藝造成一定的影響,所以應儘量避免阿膠材料的放氣。...
在矽等基體材料上塗覆光致抗蝕劑,然後用極限解析度極高的能量束來通過掩模對光致抗蝕劑層進行曝光。經顯影后,在光致抗蝕劑層上獲得與掩模圖形相同的及微細的...
軟光刻是指各種使用軟印模來進行圖形光刻的工藝技術合集,這些工藝技術包括微接觸印刷(μCP)、納米壓印光刻(NIL)、模塑成型(REM)、微轉移成型(μTM)、毛細管微成型...
砷化鎵材料也可以採用離子注入摻雜工藝直接製造積體電路,儘管由砷化鎵取代矽、鍺的構想尚未實現,但它在雷射、發光和微波等方面已顯示出優異的性能。砷化鎵外延技術還有...
為了降低表面效應和二次電子對光刻膠性能的影響,一般在矽襯底表面先塗一層非光敏感的材料,稱為底層材料。...
上海芯刻微材料技術有限責任公司於2018年05月21日成立。法定代表人王溯,公司經營範圍包括:從事半導體微電子材料、光刻材料的技術研發、生產、銷售,從事貨物及技術的...
光刻加工技術是利用照相複製與化學腐蝕相結合的技術﹐在工件表面製取精密﹑微細和複雜薄層圖形的化學加工方法。...
“光刻結構”是天文學專有名詞。來自中國天文學名詞審定委員會審定發布的天文學專有名詞中文譯名,詞條譯名和中英文解釋數據著作權由天文學名詞委所有。...
講授《光電功能材料》課程;葛海雄研究方向 編輯 納米微加工技術與材料;納米壓印材料與光刻膠材料;可生物降解高分子材料;光電功能高分子材料 [1] 葛海雄學術成果 ...
深圳市大土川新材科技有限公司於2017年10月16日成立。法定代表人魏文有,公司經營範圍包括:一般經營項目是:環保節能產品、石墨烯材料、納米材料、複合材料、拋光材料...