“光刻結構”是天文學專有名詞。來自中國天文學名詞審定委員會審定發布的天文學專有名詞中文譯名,詞條譯名和中英文解釋數據著作權由天文學名詞委所有。
內容簡介
中文譯名 | 光刻結構 |
英文原名/注釋 | photo-etched structure |
“光刻結構”是天文學專有名詞。來自中國天文學名詞審定委員會審定發布的天文學專有名詞中文譯名,詞條譯名和中英文解釋數據著作權由天文學名詞委所有。
中文譯名 | 光刻結構 |
英文原名/注釋 | photo-etched structure |
“光刻結構”是天文學專有名詞。來自中國天文學名詞審定委員會審定發布的天文學專有名詞中文譯名,詞條譯名和中英文解釋數據著作權由天文學名詞委所有。...
光刻(英語:photolithography)工藝是半導體器件製造工藝中的一個重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構,然後通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移...
光刻加工技術是指加工製作半導體結構及積體電路微圖形結構的關鍵工藝技術,是微細製造領域套用較早並仍被廣泛採用的一類微製造技術。光刻加工原理與印刷技術中的照相...
光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一,特別是近年來大規模和超大規模積體電路的發展,更是大大促進了光刻膠的研究開發和套用。印刷工業是光刻膠套用的...
正性光刻膠也稱為正膠。正性光刻膠樹脂是一種叫做線性酚醛樹脂的酚醛甲醛,提供光刻膠的粘附性、化學抗蝕性,當沒有溶解抑制劑存在時,線性酚醛樹脂會溶解在顯影...
定向自組裝光刻(Directed Self-Assembly ,DSA)是誘導光刻材料在矽片上自發形成有序結構的一種技術。...
光刻機(Mask Aligner) 又名:掩模對準曝光機,曝光系統,光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻,所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工藝要經歷矽片表面...
經顯影后,在光致抗蝕劑層上獲得與掩模圖形相同的及微細的幾何圖形,在利用刻蝕等方法,在工件材料上製造出微型結構。圖集 光刻加工圖冊 V百科往期回顧 詞條...
英文:interference lithography(IL)定義:干涉光刻技術是一個無需用到複雜的光學系統或光掩膜而製備精細結構的技術手段。...
負性光刻膠又稱光致抗蝕劑,是一種由感光樹脂、增感劑(見光譜增感染料)和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。...
軟烘後,利用化學或光學的方法去除晶圓邊緣處的光刻膠,稱為光刻膠邊緣修復,也叫光刻膠去邊。...
離子束投影光刻技術(Ion Projection Lithography, IPL)早期是用離子束進行光刻膠曝光,或者通過掩模,或者用精確聚焦的離子束連續在光刻膠上直寫。如果使用掩膜,則...
美國科學家首次釐清了溫度在蘸筆納米光刻技術中的作用,據此研製出的熱蘸筆納米光刻技術能在物質表面構造大小為20納米的結構。藉助這一技術,科學家們能廉價地在多...