基本介紹
- 中文名:光刻材料
- 外文名:materials of lithography
光刻材料是指光刻工藝中用到的增粘材料、抗反射塗層、光刻膠、化學溶劑和顯影液,還包括193nm浸沒式光刻中用到的抗水塗層。...
光刻是平面型電晶體和積體電路生產中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化矽)進行開孔,以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。...
積體電路製造中利用光學- 化學反應原理和化學、物理刻蝕方法,將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上,形成有效圖形視窗或功能圖形的工藝技術。隨著半導體技術的發展,光刻...
三層光刻材料即所謂的tri-layer,是特指光刻膠(resist)、含Si的抗反射塗層(SiARC)和旋塗的有機碳。...
光刻(英語:photolithography)工藝是半導體器件製造工藝中的一個重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構,然後通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移...
光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一,特別是近年來大規模和超大規模積體電路的發展,更是大大促進了光刻膠的研究開發和套用。印刷工業是光刻膠套用的...
光刻加工技術是指加工製作半導體結構及積體電路微圖形結構的關鍵工藝技術,是微細製造領域套用較早並仍被廣泛採用的一類微製造技術。光刻加工原理與印刷技術中的照相...
根據光刻膠在溶劑中的溶解度,選擇光刻中合適的溶劑的方法稱為光刻膠配方。...... 選取合適的溶劑是光刻膠配方的重要工作,溶劑對光刻膠的性能有很大影響。溶劑選...
在矽等基體材料上塗覆光致抗蝕劑,然後用極限解析度極高的能量束來通過掩模對光致抗蝕劑層進行曝光。經顯影后,在光致抗蝕劑層上獲得與掩模圖形相同的及微細的...
光刻缺陷是在整個光刻工藝中引入的各種缺陷,典型缺陷包括點缺陷、疵病缺陷、機械損傷等。...
放氣是指光刻膠在加熱。光照、原子轟擊等條件下放出氣體的現象。光刻膠的放氣現象通常會對工藝造成一定的影響,所以應儘量避免阿膠材料的放氣。...
浸入式光刻是指在光刻機投影鏡頭與半導體矽片之間用一種液體充滿,從而獲得更好分辯率及增大鏡頭的數值孔徑,進而實現更小曝光尺寸的一種新型光刻技術。...
曝光是利用光照將掩模版上的圖形經過光學系統後投影到光刻膠上,實現圖形轉移,是積體電路製造中光刻工藝的重要工序之一。...
半導體光刻技術,是一種關鍵的半導體設備。...... 半導體光刻技術,是一種關鍵的半導體設備。中文名 半導體...折反射光學系統的關鍵是分束器立方體,它使用CaF2材料,能...
雙重光刻是把設計版圖拆分放置在兩塊掩模上,使用兩次光刻技術,將圖形轉移到襯底上。...
正性光刻膠,樹脂是一種叫做線性酚醛樹脂的酚醛甲醛,提供光刻膠的黏附性、化學抗蝕性,當沒有溶解抑制劑存在時,線性酚醛樹脂會溶解在顯影液中;感光劑是光敏化合物...
光刻工藝過程可以用光學和化學模型,藉助數學公式來描述。光照射在掩模上發生衍射,衍射級被投影透鏡收集並會聚在光刻膠表面,這一成像過程是一個光學過程;投影在光...
光刻機(Mask Aligner) 又名:掩模對準曝光機,曝光系統,光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻,所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工藝要經歷矽片表面...
光刻分子膠本質上是一種的聚合物化學放大膠,例如基於羥基苯乙烯聚合物的膠。...... 與分子量具有較大分布的聚合物膠不同,分子膠是使用小分子量的材料作為膠的主...
雷射光刻是利用光學-化學反應原理等方法,將電路圖形刻印在介質表面,達到想要的圖形刻意功能的新型微細加工技術。...
光刻圖形缺陷指任何對目標圖形的偏離。如果缺陷的尺寸小於圖形中最小尺寸的40%,其對器件性能的影響可以忽略。...
極紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography),常稱作EUV光刻,它以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術。具體為採用波長為13.4nm 的紫外線。極紫外線就...
正型光刻膠 由光分解劑和鹼性可溶性樹脂及溶劑組成,為重氮茶醒磺酸醋及線性酚醛製成。...
光刻負膠,樹脂是聚異戊二烯,一種天然的橡膠;溶劑是二甲苯;感光劑是種經過曝光後釋放出氮氣的光敏劑,產生的自由基在橡膠分子間形成交聯。從而變得不溶於顯影液。...
反演光刻技術(Inverse Lithography Technology,ILT),也叫逆向光刻技術、反向光刻技術,是以矽片上要實現的圖形為目標,反演計算出掩模版上所需要圖形的算法。...
英文:interference lithography(IL)定義:干涉光刻技術是一個無需用到複雜的光學系統或光掩膜而製備精細結構的技術手段。...
光刻加工技術是利用照相複製與化學腐蝕相結合的技術﹐在工件表面製取精密﹑微細和複雜薄層圖形的化學加工方法。...
沉浸式光刻技術是在傳統的光刻技術中,其鏡頭與光刻膠之間的介質是空氣,而所謂浸入式技術是將空氣介質換成液體。實際上,浸入式技術利用光通過液體介質後光源波長...
三重光刻技術是把設計版圖拆分放置在三塊掩模上,分別進行三次光刻、刻蝕的技術。...... 三重光刻技術是把設計版圖拆分放置在三塊掩模上,分別進行三次光刻、刻...
接近式光刻,又稱非接觸式光刻。是一種使塗敷在從片上的光敏材料,經受穿過與其接近但不接觸的光學掩模版的光福照曝光,從而複印出光學掩模版圖形的方法。 ...