反演光刻

反演光刻技術（Inverse Lithography Technology，ILT），也叫逆向光刻技術、反向光刻技術，是以矽片上要實現的圖形為目標，反演計算出掩模版上所需要圖形的算法。

基本介紹

• 中文名：逆向光技術刻
• 外文名：Inverse Lithography Technology
• 英文縮寫：ILS

反演光刻技術，即將光學鄰近效應校正（OPC）或光源-掩模互動最佳化（SMO）的過程看做作為逆向處理的問題，將光刻後的目標圖形設為理想的成像結果，根據已知成像結果，根據成像系統空間像的變換模型，反演計算出掩模圖像。

雖然ILT和OPC的目的是完全一樣的，使曝光後晶圓上的圖形和設計圖形一致，但是其方法卻有著完全不同的思路。它不僅是對設計圖形做修正以期在晶圓上得到所要的圖形，而是把要在晶圓上實現的圖形作為目標反演計算出在掩模上所需要的圖形，如圖1所示。反演光刻通過複雜的數學計算得到一個理想的掩模圖形。用這種方法設計出的掩模，在曝光時能提供比較高的圖形對比度。

圖1 反演光刻的基本思路

反演光刻技術非常複雜，特別是對整個晶片而言計算量很大。目前普遍的做法是先使用通常的模型修正（OPC+SRAF）來完成掩模數據的處理，然後找出其中不符合要求的部分。把這些“壞點”截取出來，局部做ILT處理，得到最佳的修正。最後再把經ILT處理後的部分貼回到數據中去。這種局部的ILT處理，可以節省大量的計算時間。