超大規模積體電路先進光刻理論與套用

內容簡介

光刻技術是所有微納器件製造的核心技術。在積體電路製造中，正是由於光刻技術的不斷提高才使得摩爾定律得以繼續。本書覆蓋現代光刻技術的重要方面，包括設備、材料、仿真（計算光刻）和工藝。在設備部分，對業界使用的主流設備進行剖析，介紹其原理結構、使用方法、和工藝參數的設定。在材料部分，介紹了包括光刻膠、抗反射塗層、抗水塗層、和使用旋圖工藝的硬掩膜等材料的分子結構、使用方法，以及必須達到的性能參數。本書按照仿真技術發展的順序，系統介紹基於經驗的光學鄰近效應修正、基於模型的光學鄰近效應修正、亞曝光解析度的輔助圖形、光源-掩模版共最佳化技術和反演光刻技術。如何控制套刻精度是光刻中公認的技術難點，本書有一章專門討論曝光對準系統和控制套刻精度的方法。另外，本書特別介紹新光刻工藝研究的方法論、光刻工程師的職責，以及如何協調各方資源保證研發進度。

作者簡介

2013年 – 至今：中國科學院微電子研究所研究員、博士生導師；國家科技重大專項“300mm晶圓勻膠顯影設備”首席科學家（瀋陽芯源微電子設備公司），2012年9月入選第八批千人計畫。

2009年 – 2013年：美國格羅方德紐約研發中心光刻經理。

2007年 – 2008年：美國安智公司新澤西研發中心，高級科學家(Senior Staff Scientist)。

2001年 – 2007年：德國英飛凌公司美國紐約研發中心，高級工程師(Senior/Staff Engineer)。

1998年 – 2001年：美國能源部橡樹嶺國家實驗室，博士後

圖書目錄

前言

第1章光刻技術概述

1.1半導體技術節點

1.2積體電路的結構和光刻層

1.3光刻工藝

1.4曝光系統的解析度和聚焦深度

1.4.1解析度

1.4.2聚焦深度

1.4.3調製傳遞函式

1.5對設計的修正和版圖數據流程

1.6光刻工藝的評價標準

1.7去膠返工

1.8光刻工藝中缺陷的檢測

1.8.1旋塗後光刻薄膜中缺陷的檢測

1.8.2曝光後圖形的缺陷檢測

1.9光刻工藝的成本

1.10現代光刻工藝研發各部分的職責和協作

1.10.1晶圓廠光刻內部的分工以及各單位之間的交叉和牽制

1.10.2先導光刻工藝研發的模式

1.10.3光刻與刻蝕的關係

參考文獻

第2章勻膠顯影機及其套用

2.1勻膠顯影機的結構

2.2勻膠顯影流程的控制程式

2.3勻膠顯影機內的主要工藝單元

2.3.1晶圓表面增粘處理

2.3.2光刻膠旋塗單元

2.3.3烘烤和冷卻

2.3.4邊緣曝光

2.3.5顯影單元

2.4清洗工藝單元

2.4.1去離子水沖洗

2.4.2晶圓背面清洗

超大規模積體電路先進光刻理論與套用

基本介紹

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