反演光刻技術

反演光刻技術是把要在晶圓上實現的圖形作為目標反演計算出掩模上所需要的圖形。

基本介紹

• 中文名：反演光刻技術
• 外文名：inverse lithography technology, ILT

反演光刻技術不是對設計圖形做修正以期在晶圓上得到所要的圖形，而是把要在晶圓上實現的圖形作為目標反演計算出掩模上所需要的圖形。反演光刻通過複雜的反演數學計算得到一個理想的掩模圖形。用這種方法設計出的掩模，在曝光時應該能提供比較高的圖形對比度。

反演光刻技術非常複雜。特別是對於整個晶片(full chip)，計算量非常龐大。目前比較普遍的做法是先使用通常的模型修正來完成淹沒數據的處理，然後找出其中不符合要求的部分。把這些“壞點”截取出來，局部做ILT處理，得到最佳的修正。最後再把經過ILT處理後的部分貼回到數據中去。這種局部的數據ILT處理，可以節省大量的計算時間。