顯影(光刻中的顯影)

顯影是在正性光刻膠的曝光區和負性光刻膠的非曝光區的光刻膠在顯影液中溶解，在光刻膠上形成三維圖形的一種光刻技術。

基本介紹

• 中文名：顯影
• 外文名：Develop

顯影過程如圖1所示，非曝光區的光刻膠由於在曝光時並未發生化學反應，在顯影時也就不會存在這樣的酸鹼中和，因此非曝光區的光刻膠被保留下來。經過曝光的正膠是逐漸溶解的，中和反應只在光刻膠的表面進行，因此正膠受顯影液的影響相對比較小。對於負膠來說非曝光區的負膠在顯影液中首先形成凝膠體，然後再分解，這就使得整個負膠層都被顯影液浸透。在被顯影液浸透之後，曝光區的負膠將會膨脹變形。

圖1 顯影過程示意圖

進行顯影的方式有很多種，廣泛使用的方法是噴灑方法。這種顯影方式可以分為三個階段：矽片被置於旋轉台上，並且在矽片表面上噴灑顯影液；然後矽片將在靜止的狀態下進行顯影；顯影完成後，需要經過漂洗，之後再烘乾。

顯影后留下的光刻膠圖形將在後續的刻蝕和離子注入工藝中作為掩模，因此，顯影是一步重要的工藝。嚴格的說，在顯影時曝光區和非曝光區的光刻膠都有不同程度的溶解。曝光區與非曝光區的光刻膠溶解速度反差越大，顯影后得到的圖形對比度越高。