光刻圖形缺陷

光刻圖形缺陷指任何對目標圖形的偏離。如果缺陷的尺寸小於圖形中最小尺寸的40%，其對器件性能的影響可以忽略。

基本介紹

• 中文名：光刻圖形缺陷
• 外文名：pattern defects of lithography

光刻圖形缺陷的來源主要有三種：一是材料帶來的，例如，光刻膠過期形成的懸浮顆粒；二是設備產生的，例如，旋塗時勻膠顯影機內的顆粒掉在晶圓表面；三是不完善的工藝產生的，例如曝光條件偏離了最佳點，導致圖形質量下降，出現圖形丟失（missing pattern）。

為了確保工藝中儘量少地出現缺陷，在光刻中一般分兩個部分來監測。一是旋塗後光刻膠薄膜中顆粒的監測，即所謂旋塗缺陷（coating defects）。二是曝光後圖形的缺陷檢測。