工藝視窗再確認

工藝視窗再確認（Process Window Centering, PWC）是一種通過檢測系統隨機缺陷來驗證或調整所有光刻層工藝視窗的方法。

基本介紹

• 中文名：工藝視窗再確認
• 外文名：Process Window Centering, PWC

使用焦距能量矩陣FEM數據確定最佳曝光能量與聚焦值後，還可以使用缺陷檢測的辦法來進一步確定光刻工藝視窗的中心。特別是在32nm技術節點之後，這種方法己經被廣泛採用。

PWC晶圓的曝光設定如圖1所示，圖1（a）是PWC能量的曝光設定，整個晶圓曝光的聚焦值設定在最佳值；能量沿Y方向按固定的步長（ᐃE）增大，中間這一行的曝光能量值設定在最佳能量。整個晶圓上能量變化的範圍要能覆蓋FEM數據確定的工藝視窗，以此來選取步長值（ᐃE）。圖1（b）是PWC聚焦的曝光設定，整個晶圓曝光的能量值設定在最佳值；聚焦沿Y方向按固定的步長（ᐃF）增大，中間這一行的聚焦量設定在最佳值。整個晶圓上聚焦值變化的範圍要能覆蓋FEM數據確定的工藝視窗，以此來選取步長值（ᐃF）。

圖1 PWC晶圓的曝光設定

圖2是缺陷檢測的結果，可以看到（ᐃE+E）均這一行的缺陷最少，這就意味著在這一能量下曝光所得到的圖形質量最好，應該選擇這一能量來設定曝光。圖2中還給出了檢測到的主要缺陷的電鏡照片。用類似的辦法對PWC聚焦晶圓做缺陷檢測，可以找到最佳的聚焦值。

圖2 PWC晶圓缺陷檢測的結果

一般情況下，PWC晶圓上缺陷最少的曝光區域所對應的曝光能量和聚焦值與FEM結果判定的最佳曝光能量和聚焦值非常接近。如果差別較大，則必須要找出原因，多數情況是和缺陷檢測的程式（defect inspection recipe）有關。實踐證明，缺陷檢測程式的準確與否是PWC成功的關鍵。把缺陷檢測放在刻蝕以後，而不是光刻以後，就是考慮到缺陷檢測設備對光刻膠圖形的解析度較低，不易得到穩定可靠的結果。與FEM方法相比，陷檢測方法得到的是一個統計的結果，它綜合了非最佳曝光條件對所有圖形的負面影響。