駐波效應

光刻膠曝光時，光線透過光刻膠照射在矽(Si)襯底上，在光刻膠和襯底的界面處，光線會被反射，這些反射光和入射光會形成干涉，使得光強沿膠深方向的分布不均勻，形成駐波效應。

基本介紹

• 中文名：駐波效應
• 外文名：Standing wave effect

駐波效應對深紫外光刻膠的影響更為顯著，因為很多矽片表面(例如氧化層、氮化矽和多晶矽)在較短的深紫外波長反射更加厲害。曝光後，光刻膠側面是由過曝光和欠曝光而形成條痕。

駐波本質上降低了光刻膠成像的解析度。駐波效應破壞了光刻膠圖形側壁的垂直性，也導致了光刻膠線寬測量的不穩定，如圖1所示。

圖2 光刻膠線條的切片圖(曝光波長是248nm)