光刻負膠,樹脂是聚異戊二烯,一種天然的橡膠;溶劑是二甲苯;感光劑是種經過曝光後釋放出氮氣的光敏劑,產生的自由基在橡膠分子間形成交聯。從而變得不溶於顯影液。負性光刻膠在曝光區由溶劑引起泡漲;曝光時光刻膠容易與氮氣反應而抑制交聯。
基本介紹
- 中文名:光刻負膠
- 外文名:Photolithography negative glue
- 樹脂:聚異戊二烯
- 溶劑:二甲苯
- 舉例:SU-8光刻負膠
- 優點:負性膠成本低,正性膠昂貴
光刻負膠,樹脂是聚異戊二烯,一種天然的橡膠;溶劑是二甲苯;感光劑是種經過曝光後釋放出氮氣的光敏劑,產生的自由基在橡膠分子間形成交聯。從而變得不溶於顯影液。負性光刻膠在曝光區由溶劑引起泡漲;曝光時光刻膠容易與氮氣反應而抑制交聯。
負性光刻膠又稱光致抗蝕劑,是一種由感光樹脂、增感劑(見光譜增感染料)和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。簡介 感光樹脂經光照後,在曝光區能很快地發生光固化反應,使得這種材料的物理性能,特別是溶解性、親合性等...
在光刻工藝過程中,用作抗腐蝕塗層材料。半導體材料在表面加工時,若採用適當的有選擇性的光刻膠,可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負性兩大類。在光刻膠工藝過程中,塗層曝光、顯影后,曝光部分被溶解,未...
顯影是在正性光刻膠的曝光區和負性光刻膠的非曝光區的光刻膠在顯影液中溶解,在光刻膠上形成三維圖形的一種光刻技術。技術簡介 顯影是在矽片表面光刻膠中產生圖形的關鍵步驟。光刻膠上的可溶解區域被化學顯影劑溶解,將可見的島...
粘附性(Adherence)表征光刻膠粘著於襯底的強度。光刻膠的粘附性不足會導致矽片表面的圖形變形。光刻膠的粘附性必須經受住後續工藝(刻蝕、離子注入等)。光刻正膠比較 負性膠與正性膠性能特徵進行了比較,結論概括如下:(1) 曝光顯影...
電子束光刻方法 電子束光刻方法,包括:在結構材料層上形成硬掩模層;在硬掩模層上形成電子束光刻膠;採用電子束曝光系統,對電子束光刻膠進行曝光,其中通過增加曝光劑量來提高電子束光刻膠的抗刻蝕性;採用顯影液對曝光後的電子束光刻...
將光刻膠塗覆於矽片上,曝光後,曝光部分被顯影劑溶解的光刻膠稱為正光刻膠,非曝光部分被顯影液溶解的光刻膠稱為負光刻膠。矽片邊緣保護裝置就是為負膠光刻工藝而產生的一種裝置。2014年12月之前技術中的矽片邊緣保護裝置是利用保護...
特別是對於化學放大膠(chemically-amplified resist),後烘還能產生更多的酸,使光化學反應被放大。去保護反應示意圖如圖1所示。圖2所示是測量得到的一個 193i 負膠樣品在顯影液中的溶解速率(dissolution rate, DR)隨曝光劑量的變化曲線...
電子束曝光相關工藝 編輯 播報 光刻:襯底→甩膠→電子束曝光→顯影→定影→鍍膜→去膠→SEM觀察 抗蝕劑: PMMA:正膠。解析度高,對比度大,利於剝離,價格低;靈敏度低,耐刻蝕能力較差。 HSQ:負膠。解析度高,鄰近效應小,靈敏度低。