去保護反應

去保護反應指的是曝光後晶圓需要立即被傳送到勻膠顯影機內的熱盤上，進行烘烤。這一步又叫曝光後烘烤，或後烘烤(PEB)。

基本介紹

• 中文名：去保護反應
• 外文名：Deprotection Reaction

曝光時，光子在光刻膠內激發了光化學反應，產生了酸H+(photoacid)。只有在一定的溫度下，這些酸才能激發所謂的去保護反應(de-protection reaction)，使光刻膠能溶於顯影液。特別是對於化學放大膠(chemically-amplified resist)，後烘還能產生更多的酸，使光化學反應被放大。去保護反應示意圖如圖1所示。

圖1：去保護反應示意圖

圖2所示是測量得到的一個 193i 負膠樣品在顯影液中的溶解速率(dissolution rate， DR)隨曝光劑量的變化曲線。為了對比，圖2還展示了使用同樣樹脂的正膠的溶解速率曲線。結果顯示，這兩種膠在標準 TMAH 顯影液中的最大溶解速率基本相同，大約為 4000～4500nm/s 。

圖2

圖2 193i 正膠與負膠在顯影液(標準的 TMAH)中的溶解速率曲線