顯影缺陷

顯影缺陷是指對於高透射率掩模，使用正顯影工藝後產生多餘的顯影后反應產物。

基本介紹

• 中文名：顯影缺陷
• 外文名：development defect

由於使用自對準雙重成像技術（self-aligned double patterning，SADP）或其他雙重圖案化技術，原始單個掩模層必須分成2個掩模層：單元版圖和外圍版圖，掩模版的透射率（TR）隨之增加增加。對於高透射率掩模，使用正顯影工藝後將產生更多的顯影后反應產物，顯影后殘留缺陷更易黏在晶圓上。

顯影缺陷分為：光刻膠殘留缺陷和顯影后反應物殘留缺陷。

殘留型缺陷形成的原因是，在完全曝光與未曝光區域之間總是存在部分曝光區域，在顯影過程中，部分曝光區域的光刻膠以及顯影后殘留物將滯留或離開圖案邊緣。由於它們與圖案化邊緣之間的粘附力很弱，它們可以脫離圖案邊緣並作為缺陷落在表面上，形成光刻膠殘留缺陷和顯影后反應物殘留缺陷（Residue）。光刻膠殘留缺陷和顯影后反應物殘留缺陷會影響刻蝕工藝後的圖形，造成產品良率降低。顯影后反應物殘留缺陷通常是由於顯影過程中去離子水流量不足造成的，顯影過程中的反應物沒有被去離子水沖洗乾淨。因此，在顯影工藝中最佳化去離子水沖洗工藝製程尤其重要。